《微電子專業英語》的教學對象是微電子專業的高職高專學生。先導課程有“半導體器件物理基礎”、“微電子概論”、“微電子工藝”、“集成電路設計”，經過這些課程的學習，學生應該已經具備一定的專業知識并能較好地進行微電子專業英語的學習。《微電子專業英語》共分為六章。第一章為History，第二章為Chip，第三章為Technology，第四章為Encapsulation &resting，第五章為Equipment，第六章為Business writing。最后還介紹了簡歷及論文摘要的撰寫方法，讓學生對本行業的專業英語有個全面的認識。建議本課程的授課時數為32～64學時。
其他專業的讀者也可通過對《微電子專業英語》的學習對微電子專業有所了解，既學習了英語。又開闊了知識面。
當今世界處于國際化、信息化時代，科技的不斷發展和國際化趨勢對科技人才英語的要求越來越高。開設專業英語的目的是為了強化和鞏固基礎英語并進行實踐應用，從而掌握科技英語技能，方便國際交流，了解國內外最前沿的專業動態。
本課程的教學對象是微電子專業的高職高專學生。入學時，由于經過中學6年的英語學習，學生應已經掌握了基本的英語語法知識和一定數量的單詞，并在聽、說、讀、寫等方面受過初步的訓練。在本課程之前，由于已上過“半導體器件物理基礎”、“微電子概論”、“微電子工藝”、“集成電路設計”等相關課程，學生應該已經具備一定的專業知識并能較好地進行微電子專業英語的學習。本書共分為六章。第一章為History，第二章為chip，第三章為Technology，第四章為Encapulation＆Testing，第五章為Equipment，第六章為Business writing。建議本課程的授課時數為32-64學時。
本書由常州信息職業技術學院的張紅老師擔任主編，負責第二章和第六章內容的編寫及本書所有章節的安排和統稿；無錫商業職業技術學院的吳建軍老師擔任副主編，負責第四章內容的編寫；此外，淮安信息職業技術學院的張樓英老師也擔任副主編，與淮安信息職業技術學院的趙安邦老師負責第三章內容的編寫；大連職業技術學院的王秋菊老師負責第一章內容的編寫；南京信息職業技術學院的趙麗芳老師負責第五章第4單元內容的編寫；重慶信息職業技術學院的劉新老師負責第五章第1-3單元內容的編寫。本書由中電集團第24研究所的劉濤工程師任主審。大連職業技術學院的孟祥忠老師和北京郵電大學的張官興同學為本書搜集了很多的資料，給予了很多幫助。在此，對于所有幫助過我們的老師和同學表示最誠摯的感謝！
由于受到時間和水平的限制，本書難免存在許多不足之處，敬請尊敬的專家、老師、同學和讀者們批評指正。
前言
Chapter I History
Unit 1
A．Text
The First Transistor in
Fairchild
B．Reading
The Planar Transistor
C．Extracurricular Knowledge
The Development of
Fairchild
Unit 2
A．Text
The History of Logic Circuit
B．Reading
The Challenge of Fairchild
C．Extracurricular Knowledge
The Management of Fairchild
Unit 3
A．Text
The Achievement of Wanlass
B．Reading
Wanlass and Moore
C．Extracurricular Knowledge
The Thermal Oxides of MOS
Transistors
Chapter Ⅱ Chip
Unit 1
A．Text
LM74 1 Operational Amplifier
B．Reading
Beginners and Bystanders
Article
C．Extracurricular Knowledge
1941：First(Vacuum Tube)
Op-amp
1947：First Op-amp with an
Explicit Non-inverting Input
1 948：First Chopper-stabilized
Op-amp
Unit 2
A．Text
DM74LSl38·DM74LSl39
Decoder／Demuhiplexer
B．Reading
Analog Chip
C．Extracurricular Knowledge
Cortex Chip Goes Both Ways
Unit 3
A．Text
Low-Power，8-Channel，Serial
10．Bit ADC
Pseudo-Differential Input
Track／Hold
B．Reading
Analog／Digital Converter Technology
Development Trends
C．Extracurricular Knowledge
A／D Converters，the Comparison
and Classification
Chapter Ⅲ Technology
Unit 1
A．Text
Ion Implantation Processes in Semiconductor Manufacturing Monte．Carlo Method for Simulation of Ion Implantation
B．Reading
Wet Etching of Silicon Dioxide
C．Extracurricular Knowledge
SiGe Technology
Unit 2
A．Text
Thermal Oxidafon
B．Reading
Single Crystal Growing for Wafer
Production
C．Extracurricular Knowledge
Test
Test Links
Chapter IV Encapsulation &Testing
Unit 1
A．Text
Assembly and Packaging
B．Reading
Some Different Kinds of Package
Technique
C．Extracurricular Knowledge
Packaging For Specialized
Functions
Unit 2
A．Text
Advanced Packaging Elements
B．Reading
The Equipment of Assembly and
Packaging
C．Extracurricular Knowledge
Design
Interconnect
RF／AMS Wireless
Environment．Safety&
Health
Modeling& Simulation
Test
Other Expressions
Chapter V
Equipment
Unit 1
A．Text
Semiconductor Wafer Fabrication
Equipment
Epitaxial Reactors
Oxidation Systems
Diffusion Systems
Ion Implantation Equipment
Physical Vapor Deposition
Systems
Chemical Vapor Deposition
Systems
Photolithography Equipment
Etching Equipment
B．Reading
The LPCVD Model
Development
C．Extracurricular Knowledge
Optical Proximity Correction
Unit 2
A．Text
Semiconductor Packaging／Assembly
Equipment
B．Reading
Scheduling Semiconductor Wafer
Fabrication
C．Extracurricular Knowledge
Unit 3
A．Text
CMP Equipment
B．Reading
Surface．Mount Technology
C．Extracurricular Knowledge
CMP Process
Unit 4
A．Text．
Basic Structure of Ion
Implanter
Ion Implanter Types
*B．Reading
Ion Implanter Concepts
C．Extracurricular Knowledge
High Current Implanter 200keV
Series 1090 Technical Description
ChapterⅥ Business Writing
Unit 1
A．Fext
Fhesis Abstract
B．Reading
Abstract
C．Extracurricular Knowledge
Defining the Research Paper
Unit 2
A． Text
How to Write a Resume& Cover
Letter
B．Reading
How to Write Resume in
English
C．Extracurricular Knowledge
Appendix 部分參考譯文及練習答案
第一章 歷史
第一單元
A．課文
仙童公司的第一只晶體管
B．閱讀
第二單元
A．課文
邏輯電路的歷史
B．閱讀
第三單元
A．課文
Wanlass的收獲
B．閱讀
第二章 芯片
第一單元
A．課文
LM741運算放大器
B．閱讀
第二單元
A．課文
DM74LSl38·DM74LSl39譯碼
器／多路輸出選擇器
B．閱讀．
第三單元
A．課文
低功耗、8通道、串行10位
ADC．
偽差分輸入
采樣／保持
B．閱讀
第三章 工藝
第一單元
A．課文
半導體制造過程中的離子注入
工藝
蒙特卡羅法模擬離子注入
B．閱讀
第二單元
A．課文
熱氧化
B．閱讀
第四章 封裝與測試
第一單元
A．課文
組裝與封裝
B．閱讀
第二單元
A．課文
先進的封裝因素
B．閱讀
第五章 設備
第一單元
A．課文
半導體晶圓制造設備
外延反應設備
氧化系統
擴散系統
離子注入系統
物理氣相淀積系統
化學氣相淀積系統
光刻設備
刻蝕設備
B．閱讀
第二單元
A．課文
半導體封裝設備
B．閱讀
第三單元
A．課文
化學機械平坦化設備
B．閱讀
第四單元
A．課文
離子注入機的基本結構
離子注人機類型
B．閱讀
第六章 應用文
第一單元
A．課文
論文摘要
B．閱讀
第二單元
A．課文
如何撰寫簡歷及自薦信
B．閱讀
參考文獻
The Development of Fairchild
By the end of 1960， Fairchild Semiconductor employed 1550 employees. Thanks to Ed Bald-win, Fairchild had a state-of-the-art new facility completed in August 1959 and expanded in 1960,with total area of 108,000 sq. ft. at 545 Whisman Road in Mountain View. The facility in San Rafael had about 55,000 sq. ft. and the facility in Palo Alto had 56-,O00sq. Ft. The major problemwas to find a qualified labor force. At that time Fairchild Semiconductor was hiring almost indiscriminately.
The company was growing significantly, and as always, the growth brings problems. Transfer from the development facility in Palo Alto to manufacturing facilities was slow and difficult, and management needed to solve many problems which may be tougher than technical ones. For example,in December 1960, Eugene Kleiner asked Gordon Moore to solve a problem when the staff in Palo Altowas accusing people from Mountain View of taking Palo Altos supplies of paper and pencils.
When Charles E. Sporck arrived as a new Production Manager in October 1959, he noticed that Fairchild had "no structured manufacturing organization". The Fairchild Research and Developmentwas in the same situation. At the end of 1959, Gordon Moore ran the Chemistry Section with Bernard Rabinovitch （surface characterization）, Worden Waring （packaging）, Paul Ignacz （electro-chemical） and Bernard Yurash （analytical services）. In the Physics Section were C.T. Sah, D.A.Tremere （ tunnel diode）, B.D. James and Fred Schulenberger （ Aluminum Alloying）, Otto Leisti-ko, A. P. Halle （ vacuum deposition of SiO （ not SiO2 ！ ）, TomBurke and Phillip S. Flint （ mesatransistor）, O.V. Hatcher （low capacitance diode）, C.A. Lasch, E. W.Okeefe （diffusion aridfurnace operation）, Sheldon Roberts and L. Lynn （material research）. The members of the transistor Development Sections were M. Weissenstern, S. Levine, Garry Parker, R. Brown, P.James, R. Craig, Dave Allison and B. Bently. Victor H. Grinich was running the Engineering Department and the Device and Reliability Evaluation Department. After Ed Baldwins defection, BobNoyce became the General Manager and Vice-President. Julius Blank was running Fairchild Fgcili-ty, and Eugene Kleiner was running business operations in the Mountain View Facility. Jay Last and Jean Hoerni were in the companys shadow. Jay was working on the parametric diode and integratedcircuits and Jean was preoccupied with production of planar devices in Mountain View.
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