集成電路材料產(chǎn)業(yè)是整個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)的先導(dǎo)基礎(chǔ)，它融合了當(dāng)代眾多學(xué)科的先進(jìn)成果，對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)安全、可靠發(fā)展及持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新起著關(guān)鍵的支撐作用。集成電路材料基因組研究涉及微電子、材料學(xué)、計(jì)算機(jī)、人工智能等多學(xué)科領(lǐng)域，屬于新興交叉學(xué)科研究。本書(shū)系統(tǒng)介紹了材料基因組技術(shù)及其在集成電路材料研發(fā)中的應(yīng)用，主要內(nèi)容包括：集成電路概述與發(fā)展趨勢(shì)，材料基因組技術(shù)發(fā)展和研究進(jìn)展，材料基因組技術(shù)在集成電路材料研發(fā)中的應(yīng)用進(jìn)展及前景，總結(jié)和展望。
俞文杰博士，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員，上海集成電路材料研究院有限公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理，中國(guó)科學(xué)院高端硅基材料工程實(shí)驗(yàn)室主任、上海市高端硅基材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任、上海市集成電路材料技術(shù)創(chuàng)新中心主任。主要從事SOI材料與器件、集成電路材料基因組研究工作，具有扎實(shí)的半導(dǎo)體材料及器件的理論基礎(chǔ)和豐富的基于SOI的高遷移率材料與器件研究經(jīng)驗(yàn)，熟練掌握SOI?及其他高端硅基材料和MOS器件的制備技術(shù)；發(fā)表學(xué)術(shù)論文50余篇，主持、參與國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金項(xiàng)目、上海自然科學(xué)基金青年基金項(xiàng)目、國(guó)家科技重大專項(xiàng)“02專項(xiàng)”多項(xiàng)。
第1章 集成電路概述與發(fā)展趨勢(shì)
1.1 集成電路材料概述
1.2 集成電路技術(shù)發(fā)展與材料應(yīng)用趨勢(shì)
參考文獻(xiàn)
第2章 材料基因組技術(shù)發(fā)展和研究進(jìn)展
2.1 材料基因組技術(shù)簡(jiǎn)介
2.2 材料基因組技術(shù)發(fā)展歷程
2.3 材料基因組技術(shù)研究進(jìn)展及機(jī)器學(xué)習(xí)在其中的應(yīng)用
2.3.1 材料高通量實(shí)驗(yàn)技術(shù)研究進(jìn)展
2.3.2 材料高通量計(jì)算技術(shù)研究進(jìn)展
2.3.3 材料數(shù)據(jù)庫(kù)技術(shù)研究進(jìn)展
2.3.4 機(jī)器學(xué)習(xí)在材料基因組技術(shù)中的應(yīng)用
參考文獻(xiàn)
第3章 材料基因組技術(shù)在集成電路材料研發(fā)中的應(yīng)用進(jìn)展及前景
3.1 功能材料的研發(fā)進(jìn)展及材料基因組技術(shù)的應(yīng)用情況
3.1.1 新型存儲(chǔ)材料
3.1.2 射頻壓電材料
3.1.3 高k介質(zhì)材料
3.1.4 鐵電、鐵磁和多鐵材料
3.2 工藝材料的發(fā)展趨勢(shì)及材料基因組技術(shù)的應(yīng)用前景
3.2.1 光刻材料
3.2.2 拋光材料
3.2.3 濕化學(xué)品
3.2.4 濺射靶材
3.2.5 MO源
參考文獻(xiàn)
第4章 總結(jié)和展望
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