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本書為中國芯片制造系列的第二本，是一本系統地闡述碳化硅半導體材料生長和加工工藝的專著，填補了國內該領域書籍對于近期碳化硅制造工藝新技術及進展介紹的空白。本書較為全面地闡述了不同晶型的碳化硅從長晶、襯底制造、外延制造全流程的生產技術，展現了國內外碳化硅制造領域近期的發展成果，論述了碳化硅材料的熱力學性質、生長原理、晶體摻雜和缺陷控制等相關基礎理論，以及生長數據建模、測試表征等各方面知識，介紹了碳化硅上的氮化鎵生長、碳化硅材料加工與封裝關鍵工藝和碳化硅器件在各個領域的應用、前景及發展趨勢等知識，是讀者全面了解第三代半導體器件與系統的重要參考。

姚玉，博士畢業于加拿大不列顛哥倫比亞大學，多年來專注于半導體先進封裝制程材料、工藝及理論的研究，對于半導體先進封裝中運用的多種關鍵的鍍層材料以及制程的工藝整合及芯片制造、管理有著豐富的經驗。參與主編《芯片先進封裝制造》一書，是近年來本芯片領域系統性講述先進封裝制造工藝的專業圖書。

洪華，東南大學電子科學與工程學院、國家示范性微電子學院、MEMS教育部重點實驗室助理教授。曾入選2020年江蘇省雙創計劃，2013、2015年兩次入選美國能源部普林斯頓CEFRC學者，2015年被選為美國國家科學基金REU項目導師，2020年入選東南大學紫金學者。