一本書讀懂芯片制程設(shè)備
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叢 書 名:集成電路科學(xué)與技術(shù)叢書
本書是圍繞集成電路芯片發(fā)展和新一代信息產(chǎn)業(yè)技術(shù)領(lǐng)域(集成電路及專用設(shè)備)等重大需求,編著的集成電路芯片制程設(shè)備通識書籍。集成電路芯片作為信息時代的基石,是各國競相角逐的國之重器,也是一個國家高端制造能力的綜合體現(xiàn)。芯片制程設(shè)備位于集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的上游,貫穿芯片制造全過程,是決定產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵一環(huán)。本書首先介紹了集成電路芯片制程及其設(shè)備,并著重分析了芯片制程設(shè)備的國內(nèi)外市場環(huán)境;然后,針對具體工藝技術(shù)涉及的設(shè)備,詳細綜述了設(shè)備原理及市場情況;并對我國集成電路芯片制程設(shè)備的發(fā)展做了總結(jié)展望。本書可為制造業(yè)企業(yè)和研究機構(gòu)提供參考,也可供對集成電路芯片制程設(shè)備感興趣的讀者閱讀。
1.詳解300多種細分類別設(shè)備,闡述工作原理、發(fā)展歷程及國內(nèi)外市場情況,助力攻克設(shè)備核心技術(shù),實現(xiàn)設(shè)備制造自主可控;2.本書整理了集成電路芯片制程中的各種設(shè)備及其國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀,包括晶圓制備設(shè)備、熱工藝設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、離子注入機、薄膜淀積設(shè)備、檢測設(shè)備、化學(xué)機械拋光設(shè)備及封裝設(shè)備,詳細介紹了每類設(shè)備的工作原理、發(fā)展歷程以及當(dāng)前的國內(nèi)外市場情況,并對每類設(shè)備的國內(nèi)外代表性企業(yè)及其代表性產(chǎn)品進行了介紹,本書對集成電路芯片制程設(shè)備感興趣的讀者來說,是不錯的知識來源。3.本書是清華大學(xué)和電子科大專家傾力打造之作,是作者從業(yè)幾十年科研研究和教學(xué)經(jīng)驗的結(jié)晶,內(nèi)容極具權(quán)威性。
我國已成為世界芯片消費大國,自2013年起,我國集成電路芯片的進口額連續(xù)數(shù)年超過原油,成為國內(nèi)大宗的進口商品,2020年芯片進口額達到了3684億美元,2021年芯片進口額達到近4326億美元。芯片長期依賴進口,除了與芯片設(shè)計、研發(fā)技術(shù)滯后有關(guān),更關(guān)鍵的在于作為支柱的芯片制造技術(shù)被卡脖子。一個國家的芯片制造能力是體現(xiàn)國家集成電路乃至整個信息領(lǐng)域自主可控的關(guān)鍵,其中,芯片制程設(shè)備作為集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的上游基礎(chǔ)和源動力,其技術(shù)更新和迭代更是支撐了整個集成電路產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展。根據(jù)集成電路行業(yè)內(nèi)一代設(shè)備、一代工藝、一代產(chǎn)品的經(jīng)驗,每開發(fā)一代新產(chǎn)品,每更新一代工藝制程,均需要新一代更為先進的芯片制程設(shè)備作為支撐。可以說,要實現(xiàn)芯片的自主可控,必須要掌握先進的芯片制程設(shè)備技術(shù)。本書整理了集成電路芯片制程中的各種設(shè)備及其國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀,包括晶圓制備設(shè)備、熱工藝設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、離子注入機、薄膜淀積設(shè)備、檢測設(shè)備、化學(xué)機械拋光設(shè)備及封裝設(shè)備,詳細介紹了每類設(shè)備的工作原理、發(fā)展歷程以及當(dāng)前的國內(nèi)外市場情況,并對每類設(shè)備的國內(nèi)外代表性企業(yè)及其代表性產(chǎn)品進行了介紹,意在客觀陳述國內(nèi)的設(shè)備發(fā)展情況及當(dāng)前與國外存在的一些差距。我們能夠看到,在國家的大力支持下,一大批國內(nèi)優(yōu)秀的設(shè)備廠商正在奮起直追,已掌握了部分核心技術(shù),具備了一定規(guī)模和品牌知名度。但我們更應(yīng)看到,目前我國芯片制程設(shè)備的國產(chǎn)化率仍然較低,整體國產(chǎn)化率低于20%,部分高端設(shè)備國產(chǎn)化率更是低于2%。設(shè)備國產(chǎn)化作為產(chǎn)業(yè)發(fā)展自主可控的重要基石,勢必成為我國集成電路產(chǎn)業(yè)崛起的必然之路。因此未來5~10年,攻克設(shè)備核心技術(shù)、實現(xiàn)設(shè)備制造自主可控仍是我們的關(guān)鍵任務(wù)。非常感謝北京大學(xué)彭練矛院士、張志勇教授,盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司王暉先生,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司劉志強先生,上海微電子裝備(集團)股份有限公司沈滿華女士,聯(lián)華電子股份有限公司(新加坡)王潤順先生在本書編寫過程中給予的支持與幫助。本書的編寫得到了研究生鐘業(yè)奎、邱安美、賈鏡材、楊力豪、陳夢朝、程杰、陳浩林、莊洋、房昭會等的大力協(xié)助,他們協(xié)助查閱資料、輸入文字、插圖及校對等,在此向他們表示衷心的感謝。感謝電子科技大學(xué)國家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺和四川省集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺對本書的編寫所提供的支持和幫助。受限于編者的學(xué)識水平,書中不妥之處在所難免,懇請同行專家和廣大讀者批評指正。
前 言第1章 集成電路芯片制程簡介11.1 集成電路芯片概述11.1.1 集成電路芯片的發(fā)展11.1.2 集成電路的未來發(fā)展趨勢41.2 集成電路芯片工藝流程51.2.1 集成電路芯片前道制程工藝61.2.2 集成電路芯片后道制程工藝91.3 全球集成電路芯片制程設(shè)備市場總體概述101.3.1 國外市場分析111.3.2 國內(nèi)市場分析151.3.3 半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展前景展望19參考文獻20第2章 晶圓制備設(shè)備232.1 單晶生長設(shè)備232.1.1 單晶生長設(shè)備原理242.1.2 單晶生長設(shè)備發(fā)展262.1.3 單晶生長設(shè)備國內(nèi)外市場分析262.2 晶片切割設(shè)備302.2.1 晶片切割設(shè)備原理312.2.2 晶片切割設(shè)備發(fā)展322.2.3 晶片切割設(shè)備國內(nèi)外市場分析322.3 晶圓清洗設(shè)備372.3.1 晶圓清洗設(shè)備原理372.3.2 晶圓清洗設(shè)備發(fā)展392.3.3 晶圓清洗設(shè)備市場分析412.4 本章小結(jié)46參考文獻47第3章 熱工藝設(shè)備503.1 熱氧化相關(guān)原理503.2 擴散相關(guān)原理533.3 退火相關(guān)原理553.4 熱工藝設(shè)備結(jié)構(gòu)及原理553.4.1 立式爐553.4.2 臥式爐583.4.3 快速熱處理設(shè)備613.5 國內(nèi)外市場分析633.5.1 熱工藝設(shè)備市場概述633.5.2 國外相關(guān)設(shè)備概述653.5.3 國內(nèi)相關(guān)設(shè)備概述663.6 本章小結(jié)68參考文獻69第4章 光刻及光刻設(shè)備714.1 光刻原理714.2 光刻耗材744.2.1 光刻膠744.2.2 顯影液754.2.3 掩模版754.3 光刻機分類764.4 光刻機原理774.5 光刻機演變史794.5.1 國外光刻機發(fā)展史804.5.2 中國光刻機發(fā)展史81目錄一本書讀懂芯片制程設(shè)備 4.6 國內(nèi)外市場分析834.6.1 國外相關(guān)設(shè)備概述844.6.2 國內(nèi)光刻市場概述884.7 本章小結(jié)89參考文獻90第5章 刻蝕設(shè)備945.1 原理介紹945.1.1 濕法刻蝕原理955.1.2 干法刻蝕原理975.2 刻蝕設(shè)備995.2.1 干法刻蝕設(shè)備原理995.2.2 干法刻蝕設(shè)備發(fā)展1045.3 國內(nèi)外市場分析1075.3.1 刻蝕設(shè)備市場概述1085.3.2 國外刻蝕設(shè)備市場分析1095.3.3 國內(nèi)刻蝕設(shè)備市場分析1145.4 本章小結(jié)119參考文獻119第6章 離子注入機1226.1 離子注入相關(guān)原理1226.2 離子注入設(shè)備結(jié)構(gòu)1256.3 國內(nèi)外市場分析1336.3.1 離子注入設(shè)備市場概述1336.3.2 國外相關(guān)設(shè)備概述1346.3.3 國內(nèi)相關(guān)設(shè)備概述1366.4 本章小結(jié)137參考文獻137第7章 薄膜淀積設(shè)備1407.1 原理介紹1407.1.1 物理氣相淀積1417.1.2 化學(xué)氣相淀積1467.2 設(shè)備發(fā)展1557.2.1 物理氣相淀積設(shè)備1557.2.2 化學(xué)氣相淀積設(shè)備1567.3 國內(nèi)外市場分析1577.3.1 薄膜淀積設(shè)備市場概述1577.3.2 國外主要淀積設(shè)備1607.3.3 國內(nèi)主要淀積設(shè)備1697.4 本章小結(jié)174參考文獻175第8章 集成電路檢測設(shè)備1778.1 檢測原理1788.1.1 前道量檢測1788.1.2 后道檢測1888.2 國內(nèi)外市場分析1938.2.1 檢測設(shè)備市場分析1938.2.2 國外檢測設(shè)備龍頭企業(yè)及其設(shè)備介紹1958.2.3 國內(nèi)檢測設(shè)備龍頭企業(yè)及其設(shè)備介紹2118.3 本章小結(jié)212參考文獻212第9章 化學(xué)機械拋光設(shè)備2159.1 化學(xué)機械拋光設(shè)備原理2159.2 化學(xué)機械拋光設(shè)備發(fā)展2169.3 化學(xué)機械拋光設(shè)備與耗材市場分析2179.3.1 CMP設(shè)備市場分析2179.3.2 CMP耗材市場分析2219.4 本章小結(jié)224參考文獻224第10章 集成電路封裝設(shè)備22610.1 封裝工藝流程22610.2 封裝工藝發(fā)展22910.3 國內(nèi)外市場分析23310.3.1 半導(dǎo)體芯片封裝設(shè)備市場分析23310.3.2 國外封裝設(shè)備龍頭企業(yè)及其設(shè)備介紹23510.3.3 國內(nèi)封裝設(shè)備龍頭企業(yè)及其設(shè)備介紹24610.4 本章小結(jié)248參考文獻248后記2514.6.1 國外相關(guān)設(shè)備概述814.6.2 國內(nèi)光刻市場概述864.7 本章小結(jié)87參考文獻88第5章 刻蝕設(shè)備925.1 原理介紹925.1.1 濕法刻蝕原理935.1.2 干法刻蝕原理955.2 刻蝕設(shè)備975.2.1 干法刻蝕設(shè)備原理975.2.2 干法刻蝕設(shè)備發(fā)展1025.3 國內(nèi)外市場分析1065.3.1 刻蝕設(shè)備市場概述1065.3.2 國外刻蝕設(shè)備市場分析1075.3.3 國內(nèi)刻蝕設(shè)備市場分析