本書概述了業界前沿研究者所采取的技術方法，以及他們所面臨的挑戰和在該領域所取得的進展。具體內容包括寬禁帶半導體器件中的熱問題、氮化鎵(GaN)及相關材料的第一性原理熱輸運建模、多晶金剛石從介觀尺度到納米尺度的熱輸運、固體界面熱輸運基本理論、氮化鎵界面熱導上限的預測和測量、AlGaN/GaNHEMT器件物理與電熱建模、氮化鎵器件中熱特性建模、AlGaN/GaNHEMT器件級建模仿真、基于電學法的熱表征技術——柵電阻測溫法、超晶格城堡形場效應晶體管的熱特性、用于氮化鎵器件高分辨率熱成像的瞬態熱反射率法、熱匹配QST襯底技術、用于電子器件散熱的低應力納米金剛石薄膜、金剛石基氮化鎵材料及器件技術綜述、金剛石與氮化鎵的三維集成、基于室溫鍵合形成的高導熱半導體界面、AlGaN/GaN器件在金剛石襯底上直接低溫鍵合技術、氮化鎵電子器件的微流體冷卻技術、氮化鎵熱管理技術在Ga2O3整流器和MOSFET中的應用。
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