這本書是非常先進(jìn)的電子器件的簡潔的指南，由EDS的67位專家成員撰寫。在全書21章中，專家們分享了它們在電子器件各個領(lǐng)域的專業(yè)知識。這些章節(jié)描述了各種各樣的電子器件，這種多樣性也正是EDS面臨的現(xiàn)實(shí)。來自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界、政府部門的專家對本書也有諸多貢獻(xiàn)。作者來自五大洲，這是一個真正優(yōu)秀的團(tuán)隊(duì)，包括了優(yōu)秀的管理者、年輕的工程師、知名名的大學(xué)教授和年輕的學(xué)者。編輯因此試圖保持明顯不同的風(fēng)格，以反應(yīng)區(qū)域、背景和隸屬關(guān)系的差異。
1.由美國電子設(shè)備學(xué)會（Electron Devices Society，簡稱EDS）和美國電氣和電子工程師協(xié)會（IEEE）聯(lián)合打造，**性高。
2.多位大師級的電子學(xué)專家傾力講解，影響力廣泛。
3.覆蓋多個電子學(xué)領(lǐng)域，內(nèi)容豐富。
4.包含*新*前沿的電子學(xué)技術(shù)以及發(fā)展趨勢展望
這本書是非常先進(jìn)的電子器件的簡潔的指南，由EDS的67位專家成員撰寫。在全書21章中，專家們分享了它們在電子器件各個領(lǐng)域的專業(yè)知識。這些章節(jié)描述了各種各樣的電子器件，這種多樣性也正是EDS面臨的現(xiàn)實(shí)。來自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界、政府部門的專家對本書也有諸多貢獻(xiàn)。作者來自五大洲，這是一個真正世界級的團(tuán)隊(duì)，包括了**的管理者、年輕的工程師、著名的大學(xué)教授和年輕的學(xué)者。編輯因此試圖保持明顯不同的風(fēng)格，以反應(yīng)區(qū)域、背景和隸屬關(guān)系的差異。
大部分作者是EDS的14TAC（技術(shù)專業(yè)委員會，Technical Area Committee）的成員，這個專委會利用其專業(yè)知識幫助執(zhí)行委員會和管理層做出戰(zhàn)略決策。EDS現(xiàn)在的TAC見表1。
1963年成立的IEEE（國際電子電氣工程師協(xié)會）脫胎于1884年成立的AIEE（美國電子工程師協(xié)會）和1912年成立的IRE(無線電工程師協(xié)會)。在晶體管發(fā)明后不久的1952年，IRE建立了“電子管和固態(tài)器件委員會”，在電子器件界頗有影響。1952年，改委員會更名為“IRE電子器件專家組”。隨著AIEE和IRE的合并，在1964年成立了“IEEE電子器件組”，1976年該組織更名為EDS（IEEE電子器件學(xué)會）。
序
導(dǎo)言
對本書有貢獻(xiàn)者
致謝
介紹：發(fā)展歷史
第一部分：基本電子設(shè)備
1 雙極晶體管
John D． Cressler and Katsuyoshi Washio
1．1 動機(jī)
1．2 pn結(jié)及其電子應(yīng)用
1．3 雙極結(jié)晶體管及其電子應(yīng)用
1．4 雙極晶體管的優(yōu)化
1．5硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
參考文獻(xiàn)
2 MOSFETs
Hiroshi Iwai， Simon Min Sze， Yuan Taur and Hei Wong
2．1 MOSFET介紹
2．2 MOSFET基礎(chǔ)
2．3 MOSFET演化
2．4 結(jié)束語
參考文獻(xiàn)
3 內(nèi)存設(shè)備
Kinam Kim and Dong Jin Jung
3．1 介紹
3．2 揮發(fā)性存儲器
3．3 非揮發(fā)性存儲器
3．4 MOS存儲展望
3．5 結(jié)束語
參考文獻(xiàn)
4 被動元件
Joachim N． Burghartz and Colin C． McAndrew
4．1 離散和集成的被動元件
4．2 模擬IC和DRAM應(yīng)用
4．3 案例研究----平面螺旋電感
4．4 集成電路中的寄生應(yīng)用
參考文獻(xiàn)
5 新興設(shè)備
Supriyo Bandyopadhyay， Marc Cahay and Avik W． Ghosh
5．1 不可充電開關(guān)
5．2 硅的替代物碳和石墨烯電子學(xué)和分子電子學(xué)的興起
5．3 結(jié)束語
參考文獻(xiàn)
第二部分 電子設(shè)備和IC制造
6 電子材料
James C． Sturm， Ken Rim， James S． Harris and Chung-Chih Wu
6．1 介紹
6．2 硅設(shè)備技術(shù)
6．3 化合物半導(dǎo)體設(shè)備
6．3．1 金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MESFETs）
6．3．2 高電子移動性晶體管（HEMTs）
6．3．3 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）
6．3．4 光電器件
6．4 電子顯示
6．4．1 1930-2000年代：陰極射線管（CRT）
6．4．2 1990-2000年代：等離子平板顯示器（PDP）
6．4．3 1990年代-現(xiàn)在：有源矩陣液晶顯示器（AMLCD）和電泳墨水（E-ink）
6．4．4 2000年-現(xiàn)在：有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器（AMOLED）
6．5 結(jié)束語
參考文獻(xiàn)
7 緊湊建模
Colin C． McAndrew and Laurence W． Nagel
7．1 緊湊模型的角色
7．2 雙極晶體管緊湊建模
7．3 MOS晶體管緊湊建模
7．4 無源器件的緊湊建模
7．5 基準(zhǔn)測試和實(shí)踐
參考文獻(xiàn)
8 計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（CAD）技術(shù)
David Esseni， Christoph Jungemann， J¨urgen Lorenz， Pierpaolo Palestri，
Enrico Sangiorgi and Luca Selmi
8．1 介紹
8．2 飄移擴(kuò)散模型
8．3 微觀傳輸模型
8．4 數(shù)量傳輸模型
8．5 過程和設(shè)備仿真
參考文獻(xiàn)
9 電子設(shè)備、連接和電路的可靠性
Anthony S． Oates， Richard C． Blish， Gennadi Bersuker and Lu Kasprzak
9．1 介紹和背景
9．2 設(shè)備可靠性描述
9．3 電路級可靠性描述
9．3．1 單事件翻轉(zhuǎn)引起的軟故障
9．3．2 IC中的機(jī)械應(yīng)力效應(yīng)
9．4 保證IC可靠性的微觀方法
參考文獻(xiàn)
10 半導(dǎo)體制造
Rajendra Singh， Luigi Colombo， Klaus Schuegraf， Robert Doering and Alain Diebold
10．1 介紹
10．2 摘要
10．3 光刻和蝕刻
10．4 前端處理
10．5 后端處理
10．6 過程控制
10．7 裝配和測試
10．8 發(fā)展方向
參考文獻(xiàn)
第三部分 基于電子設(shè)備的應(yīng)用
11 VLSI技術(shù)和電路
Kaustav Banerjee and Shuji Ikeda
11．1 介紹
11．2 MOSFET擴(kuò)展技術(shù)
11．3 低耗高速邏輯設(shè)計(jì)
11．4 縮放驅(qū)動技術(shù)的改進(jìn)
11．5 低壓晶體管
11．6 相互連接
11．7 存儲
11．8 系統(tǒng)集成
參考文獻(xiàn)
12 混合信號技術(shù)和集成電路
Bin Zhao and James A． Hutchby
12．1 介紹
12．2 擴(kuò)展CMOS中的模擬/混合信號技術(shù)
12．3 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器IC
12．4 低耗顯示中的混合信號電路
12．5 圖像傳感器技術(shù)和電路
參考文獻(xiàn)
13 內(nèi)存技術(shù)
Stephen Parke， Kristy A． Campbell and Chandra Mouli
13．1 半導(dǎo)體內(nèi)存歷史
13．2 主流半導(dǎo)體內(nèi)存
13．2．1 DRAM
13．2．1 DRAM
13．2．2 NAND閃存
13．3 內(nèi)存技術(shù)展望
13．3．1 磁化基器件
13．3．2 PCRAM器件
13．3．3 CBRAM器件
13．4 技術(shù)語
參考文獻(xiàn)
14 RF和微波半導(dǎo)體技術(shù)
Giovanni Ghione， Fabrizio Bonani， Ruediger Quay and Erich Kasper
14．1 GaA和InP
14．2 硅和硅鍺
14．3 寬帶隙設(shè)備
參考文獻(xiàn)
15 功率設(shè)備和IC
Richard K． Williams， Mohamed N． Darwish， Theodore J． Letavic and Mikael O¨ stling
15．1 功率設(shè)備和IC概觀
15．2 雙負(fù)載和高耗設(shè)備
15．3 MOSFET功率設(shè)備
15．4 高電壓和電源IC
15．5 寬帶隙功率設(shè)備
參考文獻(xiàn)
16 光伏設(shè)備
Steven A． Ringel， Timothy J． Anderson， Martin A． Green， Rajendra Singh and Robert J． Walters
16．1 介紹
16．2 硅光伏
16．3 多晶硅薄膜光伏
16．4 3-4級化合物光伏
16．5 光伏展望
參考文獻(xiàn)
17 大區(qū)域電子
Arokia Nathan， Arman Ahnood， Jackson Lai and Xiaojun Guo
17．1 薄膜太陽能電池
17．1．1 簡介
17．1．2 非晶、納米和微晶硅
17．1．3 碲化鎘（CdTe）
17．1．4 硫化物
17．1．5 有機(jī)物和聚合物
17．2 大區(qū)域影像
17．2．1 介紹和應(yīng)用
17．2．2 成像結(jié)構(gòu)
17．2．3 挑戰(zhàn)
17．2．4 未來展望和發(fā)展
17．3 平板顯示
參考文獻(xiàn)
18 微電子機(jī)械系統(tǒng)
Darrin J． Young and Hanseup Kim
18．1 介紹
18．2 60年代----最早的微機(jī)器結(jié)構(gòu)
18．3 70年代----集成的傳感器
18．4 80年代----表面微機(jī)器
18．5 90年代----各種領(lǐng)域的MEMS
18．6 二十一世紀(jì)----MEMS驅(qū)動的多元化復(fù)雜系統(tǒng)
18．7 未來展望
參考文獻(xiàn)
19 真空裝置的應(yīng)用
David K． Abe， Baruch Levush， Carter M． Armstrong，
Thomas Grant and William L． Menninger
19．1 介紹
19．2 行波裝置
19．3 調(diào)速管
19．4 誘導(dǎo)輸出管
19．5 正交場設(shè)備
19．6 陀螺裝置
參考文獻(xiàn)
20光電設(shè)備
Leda Lunardi， Sudha Mokkapati and Chennupati Jagadish
20．1 介紹
20．2 半導(dǎo)體中的光發(fā)射
20．3 光電探測器
20．4 集成光電子學(xué)
20．4．1 集成的光源
20．4．2 集成的檢測器
20．5 光互連
20．6 結(jié)束語
參考文獻(xiàn)
21 后CMOS時代設(shè)備
Wilfried Haensch
21．1 介紹
21．2 用于8納米節(jié)點(diǎn)的設(shè)備
21．3 新的材料和設(shè)備
21．3．1 碳納米管（CNTs）
21．4 結(jié)束語
參考文獻(xiàn)
新書資訊