楊樹人、王宗昌、王兢編寫的這本《半導體材料(第3版)》是為大學本科與半導體相關的專業編寫的教材，介紹了主要半導 體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學制備；第2章為區熔提純；第3章為晶體生長；第4章為硅、鍺晶體中的雜質和缺陷；第5章為硅外延生長；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的外延生長；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體；第9章為Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體；第10章為低維結構半導體材料；第11章為氧化物半導體材料；第12章為照明半導體材料； 第13章為其他半導體材料。
《半導體材料(第3版)》也可以作為從事與半導體相關研究工作的科研人員和相關專業研究生的參考書。
楊樹人、王宗昌、王兢編寫的這本《半導體材料(第3版)》是普通高等教育電子科學與技術類特色專業系列規劃教材之一。主要介紹半導體材料的制備方法及性能控制的原理。全書共13章，內容包括：硅和鍺的化學制備，區熔提純，晶體生長，硅、鍺晶體中的雜質和缺陷，硅外延生長，Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的外延生長，Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體，Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體，低維結構半導體材料，氧化物半導體材料，照明半導體材料，其他半導體材料。
第三版前言
前言
緒論
第1章 硅和鍺的化學制備
1.1 硅和鍺的物理化學性質
1.2 高純硅的制備
1.3 鍺的富集與提純
第2章 區熔提純
2.1 分凝現象與分凝系數
2.2 區熔原理
2.3 鍺的區熔提純
第3章 晶體生長
3.1 晶體生長理論基礎
3.2 熔體的晶體生長
3.3 硅、鍺單晶生長
第三版前言
前言
緒論
第1章 硅和鍺的化學制備
1.1 硅和鍺的物理化學性質
1.2 高純硅的制備
1.3 鍺的富集與提純
第2章 區熔提純
2.1 分凝現象與分凝系數
2.2 區熔原理
2.3 鍺的區熔提純
第3章 晶體生長
3.1 晶體生長理論基礎
3.2 熔體的晶體生長
3.3 硅、鍺單晶生長
第4章 硅、鍺晶體中的雜質和缺陷
4.1 硅、鍺晶體中雜質的性質
4.2 硅、鍺晶體的摻雜
4.3 硅、鍺單晶的位錯
4.4 硅單晶中的微缺陷
第5章 硅外延生長
5.1 外延生長概述
5.2 硅襯底制備
5.3 硅的氣相外延生長
5.4 硅外延層電阻率的控制
5.5 硅外延層的缺陷
5.6 硅的異質外延
第6章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體
6.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的特性
6.2 砷化鎵單晶的生長方法
6.3 砷化鎵單晶中雜質的控制
6.4 砷化鎵單晶的完整性
6.5 其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制備
第7章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的外延生長
7.1 氣相外延生長(VPE)
7.2 金屬有機物氣相外延生長(MOVPE)
7.3 液相外延生長(LPE)
7.4 分子束外延生長(MBE)
7.5 化學柬外延生長(CBE)
7.6 其他外延生長技術
第8章 Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體
8.1 異質結與晶格失配
8.2 GaAlAs外延生長
8.3 InGaN外延生長
8.4 InGaAsP外延生長
8.5 超晶格與量子阱
8.6 應變超晶格
8.7 能帶工程
第9章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體
9.1 Ⅱ-Ⅵ族化合物單晶材料的制備
9.2 Ⅱ-Ⅵ族化合物的點缺陷與自補償現象
9.3 Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料
9.4 Ⅱ-Ⅵ族超晶格材料
第10章 低維結構半導體材料
10.1 低維結構半導體材料的基本特性
10.2 低維結構半導體材料的制備
10.3 低維結構半導體材料的現狀及未來
第11章 氧化物半導體材料
11.1 氧化物半導體材料的制備
11.2 氧化物半導體材料的電學性質
11.3 氧化物半導體材料的應用
第12章 照明半導體材料
12.1 LED的基本結構
12.2 外延生長GaN襯底材料的選擇
12.3 外延生長的發展趨勢
12.4 外延片結構改進
第13章 其他半導體材料
13.1 窄帶隙半導體
13.2 黃銅礦型半導體
13.3 非晶態半導體材料
13.4 有機半導體材料
參考文獻
新書資訊