《低頻電子電路》主要內容包括半導體基礎元件與非線性電路、半導體受控器件基礎、半導體受控器件的分析、放大單元與基本組成電路、放大器頻率特性基礎、集成器件基礎、反饋放大結構與應用、電路分析和電路構造案例分析。
《低頻電子電路》涉及半導體元器件，放大電路和電流源電路，結構電路和電子電路目標分析，非線性電路分析的方法選擇，電流模與濾波電路，以及比較器和直流穩壓電路等內容。同時也講解了電路仿真的一些基礎概念、模擬和數字信號特點等相關問題。
全書以電信號為背景線索，以分析條件的選擇和分析思路的獨特性將各部分有機地聯系在一起，并提供了相應的實用電路。
《低頻電子電路》特別適用于以系統為著眼點的讀者，對工程技術人員也有一定的參考作用。
《低頻電子電路》從半導體元器件的導電機理出發，全面介紹了半導體元器件的基本分析方法和分析條件，并以電信號變換目標為線索，介紹了放大電路、直流穩壓電路、基礎門電路、有源濾波電路和比較電路的電路結構、電路指標、電路性能提升等相關內容和基本概念。全書在有利于讀者明確分析手段的選取、建立電路設計和分析的思路、塑造理論和實踐相結合的電路提升路徑方面特色鮮明，也正因為如此，《低頻電子電路》具有較好的工程實踐性。 《低頻電子電路》可作為電子信息工程（含電子科學與技術）、通信和廣播電視工程、電氣與智能控制、微電子科學與工程等相關專業的教材，也可供從事電子應用與開發的相關工程技術人員學習參考。
第1章 半導體基礎元件與非線性電路
1.1 單一類型半導體的導電性能
1.1.1 本征半導體的伏安特性
1.1.2 雜質半導體的結構
1.2 半導體二極管的導電性能
1.2.1 無電壓時PN結的載流子分布與交換
1.2.2 有電壓時PN結的導電能力
1.2.3 4種常見二極管導電情況
1.3 半導體非線性電路的分析基礎
1.3.1 電阻特性分析初步與工程分析概念
1.3.2 分析模型選擇與典型運用分析
1.4 半導體非線性電路的近似分析與電路系統設計的關系
1.4.1 電路系統設計基礎
1.4.2 電子仿真軟件與單元電路的關系
1.4.3 單元電路與電路構造
1.5 低頻電子電路的學習
思考與練習
第2章 半導體受控器件基礎
2.1 雙極型晶體管的電量制約關系
2.1.1 晶體管的導電原理
2.1.2 晶體管特性的進一步描述
2.1.3 晶體管應用舉例與仿真模型基礎
2.2 場效應管的電量制約關系
2.2.1 絕緣柵型場效應管
2.2.2 結型場效應管
2.2.3 場效應管與晶體管
2.3 元器件的模型研究與仿真的工程意義
思考與練習
第3章 半導體受控器件的分析
3.1 非線性半導體元器件的分析概述
3.2 非線性受控電流器件的求解分析與應用
3.2.1 晶體管非門基礎電路
3.2.2 晶體管微變等效電路分析法及其條件
3.2.3 場效應管微變等效電路
3.3 直流工作點分析
3.3.1 工作點的建立及近似計算
3.3.2 工作點的穩定性及其穩定電路舉例
3.4 運用目標、非線性元器件的區域特性和分析方法的選取
思考與練習
第4章 放大單元與基本組成電路
4.1 放大器的恒流支撐電路
4.1.1 晶體管恒流源
4.1.2 多路輸出的場效應管恒流源
4.2 基礎單元放大電路
4.2.1 晶體管基礎單元放大電路
4.2.2 場效應管基礎單元放大電路
4.2.3 管子小信號電阻（或）及其影響
4.3 對稱結構的單元放大電路及其優勢
4.3.1 差分放大器基礎
4.3.2 乙類放大器基礎
4.4 放大電路分析、設計的基礎思路與電路結構的認識
思考與練習
第5章 放大器頻率特性基礎
5.1 頻率特性描述方法與基本增益器件頻率特性
5.1.1 頻率特性的穩態描述方法
5.1.2 基本增益器件的頻率特性與電路模型
5.2 單元放大器頻率特性基礎
5.2.1 雙極型單元放大電路的頻率特性
5.2.2 放大器頻率特性分析舉例
思考與練習
第6章 集成器件基礎
6.1 集成增益器件
6.1.1 雙極型集成增益器件
6.1.2 MOS集成增益器件
6.1.3 集成增益器件的技術指標
6.2 集成與非、或非門電路基礎
思考與練習
第7章 反饋放大結構與應用
7.1 負反饋放大結構
7.1.1 反饋放大結構的實現及標準電量認定分析
7.1.2 負反饋的增益穩定性質與負反饋電路
7.2 負反饋放大結構的指標分析——方框圖分析法
7.2.1 反饋結構的基本放大器
7.2.2 反饋結構的輸入輸出電阻變化
7.2.3 負反饋結構的方框圖計算
7.3 反饋放大結構的頻率特性與自激現象
7.3.1 負反饋結構對上、下限頻率的影響
7.3.2 負反饋放大器的自激現象
7.3.3 負反饋放大器的的相位補償原理
7.4 集成反饋放大結構的小信號運用分析——工程近似計算法
7.4.1 集成運放小信號時域分析和典型運算電路
7.4.2 小信號的頻域分析舉例——有源濾波器
思考與練習
第8章 電路分析和電路構造案例分析
8.1 精密整流與集成運放應用
8.2 比較指示器與集成運放的大信號應用
8.2.1 單限比較器電路分析
8.2.2 遲滯比較器電路分析
8.3 電流模與電壓模電路
8.3.1 跨導運算放大器
8.3.2 跨導線性環
8.4 直流穩壓電源與運用
8.4.1 線性直流穩壓電源
8.4.2 直流穩壓電源的類型及特點
8.4.3 開關型穩壓電源
思考與練習
附錄A 電路與模擬和數字信號
附錄B 常用符號
參考文獻
概念1 價電子層的電子受熱或光照等能量的激勵進入高層軌道的過程稱為激發。相反，高層軌道中的電子也會在穩定性的要求下，通過釋放能量（指變為光能或熱能）后陷落于價電子軌道層中，這一過程稱為復合。實際上，由于半導體中原子和電子熱運動的存在，激發與復合現象隨時都在發生，它們常處于動態平衡中。其中復合可以認為是物質本身具有的本能反應，而激發則是價電子獲得能量后進行無規則運動的結果。由此，可以認為激發的程度與外界激勵（如溫度或光照）有關，而復合則與高層軌道中電子的數量有關。
概念2 由于激發，價電子層次的電子數減少，價電子層次的電子軌道出現電子空缺，即空穴。顯然，空穴的存在，可作為自由電子復合以及價電子層次軌道中其他電子移動的物質基礎。為便于區分不同層次的電子運動，常稱價電子層次的電子運動為空穴運動。空穴運動的方向應與價層電子的運動方向相反。空穴運動的能力與空穴的數量成正比，可用空穴的遷移率up來表示，其值還與溫度、半導體材料有關。
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