《射頻電路工程設(shè)計(jì)》詳細(xì)分析了LNA、混頻器、差分對(duì)、巴侖、調(diào)諧濾波器、VCO和功率放大器等各種獨(dú)立射頻模塊的設(shè)計(jì)過(guò)程，以工程設(shè)計(jì)的角度重點(diǎn)討論了射頻電路設(shè)計(jì)中阻抗匹配、接地及電流耦合、數(shù)字電路與射頻電路的差異、電壓功率傳輸、寬帶阻抗匹配、窄帶阻抗匹配、RFIC及SoC、產(chǎn)品的可制造性等基本設(shè)計(jì)技術(shù)與方案；最后介紹了射頻電路系統(tǒng)分析中的系統(tǒng)增益、噪聲系數(shù)、非線(xiàn)性現(xiàn)象等主要參數(shù)。
第一部分 單個(gè)射頻模塊
第1章 低噪聲放大器
1.1 引言
1.2 單端單管低噪聲放大器
1.3 單端級(jí)聯(lián)低噪聲放大器
1.4 帶自動(dòng)增益控制（AGC）性能的低噪聲放大器
參考文獻(xiàn)
第2章 混頻器
2.1 引言
2.2 無(wú)源混頻器
2.3 有源混頻器
2.4 設(shè)計(jì)方案
附錄
參考文獻(xiàn)
第3章 差分對(duì)
3.1 為什么需要差分對(duì)
3.2 可以用一個(gè)電容來(lái)隔離直流偏置嗎
3.3 差分對(duì)電路的基本原理
3.4 CMRR（共模抑制比）
附錄
參考文獻(xiàn)
第4章 射頻巴侖
4.1 引言
4.2 變壓器巴侖
4.3 LC巴侖
4.4 微帶線(xiàn)巴侖
4.5 混合巴侖
附錄
參考文獻(xiàn)
第5章 調(diào)諧濾波器
5.1 通信系統(tǒng)中的調(diào)諧濾波器
5.2 兩個(gè)諧振回路間的耦合
5.3 電路描述
5.4 第二耦合的效果
5.5 性能
參考文獻(xiàn)
第6章 壓控振蕩器
6.1 “三點(diǎn)”式振蕩器
6.2 其他單端振蕩器
6.3 壓控振蕩器與鎖相環(huán)
6.4 單端VCO的設(shè)計(jì)實(shí)例
6.5 差分VCO與四相制VCO
參考文獻(xiàn)
第7章 功率放大器
7.1 功率放大器的分類(lèi)
7.2 單端型功率放大器設(shè)計(jì)
7.3 單端型功率放大器集成電路設(shè)計(jì)
7.4 推挽式功率放大器設(shè)計(jì)
7.5 帶溫度補(bǔ)償?shù)墓β史糯笃?br />7.6 帶輸出功率控制的功率放大器
7.7 線(xiàn)性功率放大器
參考文獻(xiàn)
第二部分 設(shè)計(jì)技術(shù)和技巧
第8章 射頻電路設(shè)計(jì)和數(shù)字電路設(shè)計(jì)的不同方法
8.1 數(shù)模兩類(lèi)電路的分歧
8.2 通信系統(tǒng)中射頻電路模塊和數(shù)字電路模塊的差別
8.3 結(jié)論
8.4 高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)的注意點(diǎn)
參考文獻(xiàn)
第9章 電壓與功率傳輸
9.1 電壓從源傳輸?shù)截?fù)載
9.2 功率從源傳輸?shù)截?fù)載
9.3 阻抗共軛匹配
9.4 阻抗匹配的附加作用
附錄
參考文獻(xiàn)
第10章 窄帶阻抗匹配
10.1 引言
10.2 借助于調(diào)整回波損耗進(jìn)行阻抗匹配
10.3 由單個(gè)元件構(gòu)成的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)
10.4 兩個(gè)元件構(gòu)成的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)
10.5 由三個(gè)元件構(gòu)成的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)
10.6 當(dāng)Zs或ZL不為50 Ω時(shí)的阻抗匹配
10.7 阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中的元件
附錄
參考文獻(xiàn)
第11章 寬帶阻抗匹配
11.1 史密斯原圖上的窄帶和寬帶回波損耗
11.2 插入一個(gè)元件構(gòu)成的臂或分支引起的阻抗變化
11.3 插入由兩個(gè)元件構(gòu)成的臂或分支引起的阻抗變化
11.4 UMB系統(tǒng)IQ調(diào)制器設(shè)計(jì)中的阻抗匹配
11.5 寬帶阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的討論
參考文獻(xiàn)
第12章 器件的阻抗和增益
12.1 引言
12.2 密勒效應(yīng)
12.3 雙極晶體管的小信號(hào)模型
12.4 CE（共射）結(jié)構(gòu)的雙極晶體管
12.5 CB（共基）結(jié)構(gòu)的雙極晶體管
12.6 CC（共集）結(jié)構(gòu)的雙極晶體管
12.7 MOSFET晶體管的小信號(hào)模型
12.8 雙極晶體管和MOSFET晶體管的相似點(diǎn)
12.9 CS（共源）結(jié)構(gòu)的MOSFET晶體管
12.10 CG（共柵）結(jié)構(gòu)的MOSFET晶體管
12.11 CD（共漏）結(jié)構(gòu)的MOSFET晶體管
12.12 不同結(jié)構(gòu)雙極晶體管和MOSFET晶體管的比較
參考文獻(xiàn)
第13章 阻抗測(cè)量
13.1 引言
13.2 標(biāo)量電壓測(cè)量與矢量電壓測(cè)量
13.3 采用網(wǎng)絡(luò)分析儀直接測(cè)量阻抗
13.4 用網(wǎng)絡(luò)分析儀進(jìn)行阻抗測(cè)量的另一種方法
13.5 借助環(huán)形器進(jìn)行阻抗測(cè)量
附錄
參考文獻(xiàn)
第14章 接地
14.1 接地的含義
14.2 隱藏在原理圖中可能的接地問(wèn)題
14.3 不良或不合適的接地舉例
14.4 “零”電容
14.5 1/4波長(zhǎng)微帶線(xiàn)
附錄
參考文獻(xiàn)
第15章 接地面的等勢(shì)性和電流耦合
15.1 接地面的等勢(shì)性
15.2 前向和反向電流耦合
15.3 具有多層金屬層的PCB或IC芯片
附錄
參考文獻(xiàn)
第16章 射頻集成電路（RFIC）與片上系統(tǒng)（SoC）
16.1 干擾和隔離
16.2 使用金屬盒屏蔽射頻模塊
16.3 發(fā)展射頻集成電路的強(qiáng)烈需求
16.4 沿著集成電路襯底傳輸?shù)母蓴_信號(hào)
16.5 抑制來(lái)自外部空間的干擾的方法
16.6 在射頻模塊和RFIC設(shè)計(jì)中應(yīng)遵循的共同接地規(guī)則
16.7 射頻集成電路設(shè)計(jì)中遇到的瓶頸
16.8 片上系統(tǒng)的前景
16.9 下一個(gè)是什么
附錄
參考文獻(xiàn)
第17章 產(chǎn)品設(shè)計(jì)的可制造性
17.1 引言
17.2 6σ設(shè)計(jì)的含義
17.3 逼近6σ設(shè)計(jì)
17.4 蒙特卡洛分析
附錄
參考文獻(xiàn)
第三部分 射頻系統(tǒng)分析
第18章 射頻電路設(shè)計(jì)中的主要參量與系統(tǒng)分析
18.1 引言
18.2 功率增益
18.3 噪聲
18.4 非線(xiàn)性
18.5 其他參量
18.6 射頻系統(tǒng)分析示例
附錄
參考文獻(xiàn)
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