本書是Thompson博士30年來在模擬設(shè)計(jì)、 電力電子學(xué)線路和為研究生講授模擬電路設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)。 全書主要介紹設(shè)計(jì)和分析模擬電路時(shí)所需的*基本的實(shí)用技術(shù)， 包括晶體管放大器（CMOS、 JFET和雙極型）及反饋系統(tǒng)、 晶體管開關(guān)電路、 模擬濾波器、 模擬電路中的噪聲、 熱電路設(shè)計(jì)、 磁電路設(shè)計(jì)及控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)等。本書概括了模擬電路及系統(tǒng)的思維方法， 可使讀者感受到工作良好的模擬電路設(shè)計(jì)應(yīng)是怎樣的一個過程， 還利用LTSPICE給出了電路仿真的例子， 并為讀者提供了LTSPICE仿真文件。書中盡量少用了數(shù)學(xué)工具， 而是利用大量實(shí)際例子幫助讀者融入模擬設(shè)計(jì)。
Marc Thompsons博士在Thompson Consulting公司專門從事R/D定制、分析及多學(xué)科電子、磁場和機(jī)電及電子系統(tǒng)的故障診斷研究。任教于伍斯特理工學(xué)院，講授電子和計(jì)算機(jī)工程系列課程，涉及模擬、電力質(zhì)量、電力電子學(xué)、機(jī)電學(xué)、電動機(jī)、旋轉(zhuǎn)機(jī)械及高技術(shù)公司的電力分配等課程。另外，他也在威斯康星大學(xué)麥迪遜分校任教，講授電動機(jī)、機(jī)電系統(tǒng)、電力電子學(xué)和磁場設(shè)計(jì)等課程。
第1章 概述及目的
1.1 模擬設(shè)計(jì)者的需求
1.2 模擬集成電路技術(shù)優(yōu)勢的早期歷史
1.3 數(shù)字與模擬的實(shí)現(xiàn)： 設(shè)計(jì)師的選擇
1.4 為什么要成為模擬設(shè)計(jì)師
1.5 本書中的命名法
1.6 本書的范圍
深入閱讀第2章 信號處理基礎(chǔ)知識回顧
2.1 拉普拉斯變換、 傳遞函數(shù)和零極點(diǎn)圖
2.2 一階系統(tǒng)響應(yīng)
2.2.1 一階系統(tǒng)在低頻和高頻處的估算
2.2.2 一階系統(tǒng)在短時(shí)間(t＜＜RC)內(nèi)的階躍響應(yīng)
2.2.3 具有特高頻極點(diǎn)的一階系統(tǒng)
2.3 二階系統(tǒng)
2.3.1 二階阻尼系統(tǒng)(理想情況下無阻尼， 阻尼系數(shù)ζ=0)
2.3.2 阻尼系數(shù)ζ＜1的二階RLC電路系統(tǒng)
2.3.3 品質(zhì)因數(shù)“Q”
2.3.4 阻尼系數(shù)ζ＜1的二階系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)
2.4 有阻尼的二階系統(tǒng)的自由振蕩
2.5 對數(shù)衰減
2.6 高階系統(tǒng)
2.6.1 有特高頻極點(diǎn)的二階電子系統(tǒng)
2.6.2 極點(diǎn)廣泛分布在實(shí)軸上的二階系統(tǒng)
2.6.3 利用傳遞函數(shù)的分母估計(jì)極點(diǎn)位置
2.7 諧振電路的回顧
2.8 利用能量的方法來分析無阻尼諧振電路
2.9 級聯(lián)系統(tǒng)的上升時(shí)間
習(xí)題
深入閱讀第3章 二極管的物理特性和理想（后來的非理想）二極管的回顧
3.1 絕緣體、 良好的導(dǎo)體和半導(dǎo)體中的電流
3.2 電子和空穴
3.3 漂移、 擴(kuò)散、 復(fù)合和激發(fā)
3.3.1 漂移
3.3.2 擴(kuò)散
3.3.3 激發(fā)和復(fù)合
3.3.4 半導(dǎo)體中的總電流
3.4 半導(dǎo)體摻雜的影響
3.4.1 施主摻雜材料
3.4.2 受主摻雜材料
3.5 熱平衡時(shí)的PN結(jié)
3.6 正向偏置電壓下的PN結(jié)
3.7 反向偏置二極管
3.8 理想的二極管方程
3.9 二極管中存儲的電荷
3.9.1 耗散電容
3.10 二極管在正向偏置下存儲的電荷
3.11 雙極型二極管的反向恢復(fù)
3.12 反向擊穿
3.13 二極管的數(shù)據(jù)表
3.14 快速了解肖特基二極管
習(xí)題
深入閱讀第4章 雙極型晶體管模型
4.1 簡要?dú)v史
4.2 基本的NPN型晶體管
4.3 工作在不同區(qū)域的晶體管模型
4.4 雙極型晶體管的低頻交流模型
4.5 高頻交流模型
4.6 閱讀晶體管數(shù)據(jù)表
4.6.1 大信號參數(shù)（hFE和VCE，SAT）
4.6.2 小信號參數(shù)（hfe、 Cμ、 C靶和rx)
4.7 混合靶模型的局限性
習(xí)題
深入閱讀第5章 基本的雙極型晶體管放大器及其偏置
5.1 晶體管的偏置問題
5.2 晶體管放大器
5.2.1 共發(fā)射極放大器
5.2.2 射極跟隨器低頻增益、 輸入阻抗和輸出阻抗
習(xí)題
深入閱讀第6章 放大器帶寬估計(jì)技術(shù)
6.1 開路時(shí)間常數(shù)介紹
6.2 晶體管放大器的例子
6.2.1 利用共發(fā)射極放大器的結(jié)果檢測OCTC的合理性
6.3 短路時(shí)間常數(shù)
習(xí)題
深入閱讀第7章 先進(jìn)的放大器和設(shè)計(jì)舉例
7.1 關(guān)于級聯(lián)增益和負(fù)載效應(yīng)的說明
7.2 *壞情況下的開路時(shí)間常數(shù)計(jì)算
7.3 射極跟隨緩沖器的高頻輸出和輸入阻抗
7.4 自舉電路
7.5 極點(diǎn)分解
習(xí)題
深入閱讀第8章 雙極型晶體管高增益放大器及鏡像電流源
8.1 增加混合靶模型的必要性
8.2 基區(qū)寬度調(diào)制和擴(kuò)展的混合靶模型
8.3 利用晶體管的數(shù)據(jù)表計(jì)算小信號參數(shù)
8.4 構(gòu)建模塊
8.4.1 雙極型電流源的交流輸出阻抗
8.4.2 射極跟隨器交流輸入阻抗
8.4.3 鏡像電流源
8.4.4 基本的鏡像電流源的精確度和速度
8.4.5 發(fā)射極有反饋的鏡像電流源
8.4.6 有“β助手”的鏡像電流源
8.4.7 級聯(lián)鏡像電流源
8.4.8 威爾遜鏡像電流源
8.4.9 Widlar鏡像電流源
習(xí)題
深入閱讀第9章 場效應(yīng)晶體管（FET）及其放大器
9.1 場效應(yīng)晶體管的早期歷史
9.2 基本信號MOSFET的定性討論
9.3 畫出MOS器件的伏安特性曲線
9.4 MOS小信號模型(低頻)
9.5 MOS小信號模型(高頻)
9.6 基本的MOS放大器
9.6.1 源極跟隨器
9.6.2 共源極放大器
9.6.3 共柵極放大器
9.6.4 級聯(lián)共源極放大器
9.6.5 MOS鏡像電流
9.6.6 Try#1:共源極放大器
9.6.7 Try#2:增加輸出源極跟隨器M2
9.6.8 Try#3:增加級聯(lián)晶體管M3
9.7 基本的JFET
習(xí)題
深入閱讀第10章 雙極型晶體管和MOSFET的大信號轉(zhuǎn)換
10.1 介紹
10.2 BJT大信號轉(zhuǎn)換模型的發(fā)展
10.3 BJT反向有效區(qū)
10.4 BJT飽和
10.5 BJT的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的耗散電容
10.6 雙極型晶體管的電荷控制和混合靶參數(shù)之間的關(guān)系
10.7 從數(shù)據(jù)表中求解耗散電容
10.8 制造商的BJT測試
10.9 電荷控制模型舉例
10.10MOSFET的大信號轉(zhuǎn)換
習(xí)題
深入閱讀第11章 反饋系統(tǒng)
11.1 反饋控制的介紹和一些早期歷史
11.2 負(fù)反饋放大器的發(fā)明
11.3 控制系統(tǒng)基礎(chǔ)
11.4 環(huán)路增益和抗干擾性
11.5 反饋回路的近似閉環(huán)增益
11.6 極點(diǎn)位置、 阻尼和相對穩(wěn)定
11.7 反饋對相對穩(wěn)定的影響
11.8 Routh穩(wěn)定判據(jù)(又名“Routh測試”)
11.9 相位裕度和增益裕度測試
11.10阻尼比和相位裕度之間的關(guān)系
11.11相位裕度、 階躍響應(yīng)和頻率響應(yīng)
11.12回路補(bǔ)償技術(shù)——超前和滯后網(wǎng)絡(luò)
11.13一些有趣的反饋回路的附加評論
習(xí)題
深入閱讀第12章 基本運(yùn)算放大器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及案例分析
12.1 基本運(yùn)算放大器的工作
12.2.1 差動輸入級
12.1.2 射極跟隨器緩沖和輸出“推挽”級
12.2 簡要回顧LM741運(yùn)算放大器原理圖
12.3 運(yùn)算放大器的一些實(shí)際限制
12.3.1 電壓偏移
12.3.2 電壓偏移隨溫度的漂移
12.3.3 輸入偏置和輸入偏移電流
12.3.4 差動輸入阻抗
12.3.5 轉(zhuǎn)換速率
12.3.6 輸出阻抗和電容負(fù)載
12.4 噪聲
習(xí)題
深入閱讀第13章 電流反饋運(yùn)算放大器回顧
13.1 傳統(tǒng)的電壓反饋運(yùn)算放大器和“增益帶寬積”常數(shù)模式
13.2 傳統(tǒng)的電壓反饋運(yùn)算放大器的轉(zhuǎn)換速率限制
13.3 電流反饋運(yùn)算放大器
13.4 沒有轉(zhuǎn)換速率限制的電流反饋運(yùn)算放大器
13.5 制造商的電流反饋放大器的數(shù)據(jù)表信息
13.6 關(guān)于電流反饋運(yùn)算放大器限制更詳細(xì)的模型和一些評論
習(xí)題
深入閱讀第14章 模擬低通濾波器
14.1 介紹
14.2 LPF基本知識回顧
14.3 巴特沃思濾波器
14.3.1 切比雪夫1型濾波器
14.3.2 LPF的群時(shí)延
14.3.3 貝塞爾濾波器
14.4 巴特沃思濾波器、 切比雪夫?yàn)V波器和貝塞爾濾波器的比較
14.4.1 切比雪夫2型濾波器
14.4.2 橢圓濾波器
14.4.3 濾波器響應(yīng)的比較
14.5 濾波器的實(shí)現(xiàn)
14.5.1 RLC梯形電路
14.5.2 全通濾波器
14.6 有源LPF的實(shí)現(xiàn)
14.7 關(guān)于高通和帶通濾波器的一些說明
習(xí)題
深入閱讀第15章 無源器件、 原型問題和印刷電路板布局案例分析
15.1 電阻
15.2 表面貼裝電阻說明
15.3 電阻類型說明
15.3.1 金屬繞線的寄生感抗說明
15.4 電容
15.5 電感
15.6 印刷電路板布局問題的一些討論
15.6.1 電源旁路
15.6.2 接地層
15.6.3 印刷電路板線路寬度
15.6.4 在接地層之上的印刷電路板線路的近似感抗
15.7 關(guān)于原型工具的一些個人想法
15.7.1 驅(qū)動器的實(shí)現(xiàn)
習(xí)題
深入閱讀第16章 噪聲
16.1 電阻中的熱(也稱為“Johnson”或“白”)噪聲
16.1.1 如何添加噪聲源
16.1.2 串聯(lián)或并聯(lián)的噪聲電阻
16.1.3 在計(jì)算總噪聲時(shí)所用的帶寬是多少
16.2 肖特基(“散�！�)噪聲
16.3 1/f(“粉紅色”或“閃爍”)噪聲
16.4 電阻中的過剩噪聲
16.5 “跳躍”噪聲(也稱為“爆破”噪聲)
16.6 雙極型晶體管噪聲
16.7 場效應(yīng)晶體管噪聲
16.8 運(yùn)算放大器噪聲模型
16.9 噪聲**的運(yùn)算放大器的選擇
16.10信噪比
16.10.1 噪聲系數(shù)
16.11不是噪聲的事情
習(xí)題
深入閱讀第17章 其他有用的設(shè)計(jì)技術(shù)及輕松的結(jié)束
17.1 熱電路
17.2 熱傳導(dǎo)傳輸?shù)姆�(wěn)態(tài)模型
17.3 熱能存儲
17.4 利用熱電路等效模型來確定靜態(tài)半導(dǎo)體的結(jié)溫
17.5 機(jī)械電路等效
17.5.1 機(jī)械系統(tǒng)
17.5.2 電子系統(tǒng)
17.6 跨導(dǎo)線性原則
17.7 無限長電阻梯形電路的輸入阻抗
17.8 傳輸線問題
17.8.1 求解有限長傳輸線的輸入阻抗
17.9 節(jié)點(diǎn)方程和克萊姆法則
17.10求解LRC電路的固有頻率
17.11關(guān)于自然界中標(biāo)度法的一些評論
17.12幾何標(biāo)度
17.12.1 魚/船速度(弗勞德定律)
17.12.2 水果
17.12.3 彎曲力矩
17.12.4 身體的大小和熱(伯格曼定律)
17.12.5 大小和跳躍(博雷利定律)
17.12.6 步行速度(弗勞德定律)
17.12.7 電容
17.12.8 電感
17.12.9 電磁鐵的升力
17.13 關(guān)于SPICE模型的用途和弊端的一些個人評論
習(xí)題
深入閱讀
附錄A
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