目前以有機/聚合物和半導體量子點為代表的新型電致發光材料與器件受到了國內外眾多企業和人士的廣泛關注。本書從新型電致發光材料與器件原理，以及關鍵材料的開發與應用技術出發，內容涵蓋有機電致發光概念與過程、有機電致發光材料、有機電致發光器件、半導體量子點材料、半導體量子點電致發光器件、 鹵素鈣鈦礦材料及其電致發光器件等。全書反映了國內外新型電致發光材料與器件研究及應用領域的更新成果，展現了新技術發展和研究趨勢。本書具有較強的理論性、科學性和系統性，兼具實用價值，可供從事照明與顯示技術、發光材料
本書基于當前半導體行業制造過程中存在的問題，介紹了多種改進的批間控制和過程監控算法及其性能。第1章為半導體制造過程概述，包括國內外研究現狀和發展趨勢。第2、3章介紹批間控制、控制性能和制造過程監控。第4～7章討論機臺干擾、故障、度量時延對系統性能的影響，提出多種批間控制衍生算法，包括雙產品制程的EWMA批間控制算法、變折扣因子EWMA批間控制算法、偏移補償批間控制算法、基于T-S模糊模型的批間控制算法。第8～11章介紹半導體制造過程的性能和過程監控方法，包括：設計模型評價指標進行建模質量評估；提
本書系統介紹了用于材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動力學方法、動力學蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10.10m到百納米，時間從亞皮秒量級到106s，并給出了多尺度模擬方法在硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵材料位移損傷研究中的應用，揭示了典型半導體材料的位移損傷機理和規律，在核技術和輻射物理學科的發展、位移損傷效應研究、人才培養等方面具有重要的學術意義和應用價值。
本書旨在向材料及微電子集成相關專業的高年級本科生、研究生及從事材料與器件集成行業的科研人員介紹柵介質材料制備與相關器件集成的專業技術。本書共10章，包括了集成電路的發展趨勢及后摩爾時代的器件挑戰，柵介質材料的基本概念及物理知識儲備，柵介質材料的基本制備技術及表征方法； 著重介紹了柵介質材料在不同器件中的集成應用，如高κ與金屬柵、場效應晶體管器件、薄膜晶體管器件、存儲器件及神經形態器件等。本書包含柵介質材料的基本制備技術，同時突出了柵介質材料在器件應用中的先進性和前沿性，反映了后摩爾時代器件集成的
本書介紹了當前主流的光學光刻、先進的極紫外光刻以及下一代光刻技術。主要內容涵蓋了光刻理論、工藝、材料、設備、關鍵部件、分辨率增強、建模與仿真、典型物理與化學效應等，包括光刻技術的前沿進展，還總結了極紫外光刻的特點、存在問題與發展方向。
本書共6章, 包括緒論、氮化物材料MOCVD生長技術、氮化鎵微波功率器件技術、微波功率器件新型工藝、微波功率器件建模技術、新型氮化鎵微波功率器件。
全書較為系統地論述了壓接型IGBT器件封裝疲勞失效機理及其可靠性建模與測評等，既有理論原理、仿真分析、又有實驗測試等。全書內容可為高壓大功率壓接器件的可靠性設計優化和測試奠定理論基礎；同時也為實現柔直裝備安全運行的狀態評估和主動運維提供技術支撐，從而進一步支撐以高壓大功率IGBT器件為核心的柔直裝備及電力系統安全。
本書適合作為集成電路、微電子、電子科學與技術等專業高年級本科生和研究生學習半導體器件物理的雙語教學教材，內容涵蓋了量子力學、固體物理、半導體物理和半導體器件的全部內容。全書在介紹學習器件物理所必需的基礎理論之后，重點討論了pn結、金屬–半導體接觸、MOS場效應晶體管和雙極型晶體管的工作原理和基本特性。最后論述了結型場效應晶體管、晶閘管、MEMS和半導體光電器件的相關內容。本書提供了豐富的習題和自測題，并給出了大量的分析或設計實例，有助于讀者對基本理論和概念的理解。
本書從材料、工藝、結構、性能、歷史、產業和前沿研究角度，對半導體太陽能電池和發光二極管進行系統性的介紹。主要包括半導體與新能源，太陽能電池概述，晶體硅太陽能電池，薄膜硅太陽能電池，碲化鎘太陽能電池，砷化鎵太陽能電池，銅銦硒太陽能電池，染料敏化太陽能電池，有機太陽能電池，發光二極管概述，氮化鎵發光二極管，氧化鋅發光二極管，中長波發光二極管，有機發光二極管的工藝、設計、和前沿研究。
本書以集成電路領域中的等離子體刻蝕為切入點，介紹了等離子體基礎知識、基于等離子體的刻蝕技術、等離子體刻蝕設備及其在集成電路中的應用。全書共8章，內容包括集成電路簡介、等離子體基本原理、集成電路制造中的等離子體刻蝕工藝、集成電路封裝中的等離子體刻蝕工藝、等離子體刻蝕機、等離子體測試和表征、等離子體仿真、顆粒控制和量產。本書對從事等離子體刻蝕基礎研究和集成電路工廠產品刻蝕工藝調試的人員均有一定的參考價值。
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