本書內容以實用性為出發點，闡釋了氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導體的原理、制造工藝、特性表征、市場現狀以及針對關鍵應用的設計方法。針對GaN器件，從材料特性、芯片設計、制造工藝和外特性各方面深入分析，介紹了仿真手段和各種典型應用，最后還介紹了目前主流的技術和GaN公司。
本書共8章。其中，第1章介紹Si基GaN材料與芯片的研究意義，著重分析了GaN材料的性質和Si基GaN外延材料與芯片制備的發展歷程。第2章從Si基GaN材料的外延生長機理出發，依次介紹了GaN薄膜、零維GaN量子點、一維GaN納米線和二維GaN生長所面臨的技術難點及對應的生長技術調控手段。第3～7章依次介紹了Si基GaNLED材料與芯片、Si基GaN高電子遷移率晶體管、Si基GaN肖特基二極管、Si基GaN光電探測芯片和Si基GaN光電解水芯片的工作原理、技術瓶頸、制備工藝以及芯片性能調控技術，
第一章介紹了光子計算機發展的歷史以及神經網絡的概念。第二章重點介紹了物理儲層計算的原理，以及一些與光子計算相關的重要概念——品質因數、拓撲網絡、線性和非線性記憶容量。第三章介紹了儲層集成的最新技術，主要集中在被動架構的實現，以及如何通過光電探測器實現非線性變換的原理。第四章介紹了大規模光子儲層的潛力，重點討論了幾種可以產生復雜網絡耦合的光學配置。第五章概況介紹了基于延遲系統的儲層計算。第六章詳細闡述了池田延遲（Ikeda delay dynamics）動力學與光子儲存計算機控制和開發的相關性。第
本書將半導體技術60多年的發展史濃縮在有限的篇幅里，通過簡明扼要的語言為我們講述關于芯片的那些事兒。本書主要圍繞“史前文明”——電子管時代、“新石器時代”——晶體管時代、“戰國時代”——中小規模集成電路時代、“大一統秦朝”——大規模和超大規模集成電路時代、“大唐盛世”——特大規模和巨大規模集成電路時代、“走進新時代”——移動互聯時代、“擁抱未來”——半導體科技的展望，對半導體領域涉及的技術發展情況、關鍵的人和事件等進行了描述，對未來的產業發展進行了展望，為我們勾勒了一幅半導體技術也是人類
半導體制造作為微電子與集成電路行業中非常重要的環節，其工藝可靠性是決定芯片性能的關鍵。本書詳細描述和分析了半導體器件制造中的可靠性和認定，并討論了基本的物理和理論。本書涵蓋了初始規范定義、測試結構設計、測試結構數據分析，以及工藝的最終認定，是一本實用的、全面的指南，提供了驗證前端器件和后端互連的測試結構設計的實際范例。本書適合從事半導體制造及可靠性方面的工程師與研究人員閱讀，也可作為高等院校微電子等相關專業高年級本科生和研究生的教材和參考書。
本書是國外學者們對寬禁帶半導體封裝技術和趨勢的及時總結。首先，對寬禁帶功率器件的發展趨勢做了總結和預演判斷，講述寬禁帶功率半導體的基本原理和特性，包括其獨特的物理和化學屬性，以及它們在極端環境下的潛在優勢。接著介紹封裝材料的選擇和特性，分別就互連技術和襯底展開論述，同時，介紹了磁性材料，并對不同材料結構的熱性能，以及冷卻技術和散熱器設計進行了介紹。然后，考慮到功率器件的質量必須通過各種測試和可靠性驗證方法來評估，還介紹了瞬態熱測試的原理和方法，同時闡述了各種可靠性測試的機理和選擇動機。最后
本書概述了業界前沿研究者所采取的技術方法，以及他們所面臨的挑戰和在該領域所取得的進展。具體內容包括寬禁帶半導體器件中的熱問題、氮化鎵(GaN)及相關材料的第一性原理熱輸運建模、多晶金剛石從介觀尺度到納米尺度的熱輸運、固體界面熱輸運基本理論、氮化鎵界面熱導上限的預測和測量、AlGaN/GaNHEMT器件物理與電熱建模、氮化鎵器件中熱特性建模、AlGaN/GaNHEMT器件級建模仿真、基于電學法的熱表征技術——柵電阻測溫法、超晶格城堡形場效應晶體管的熱特性、用于氮化鎵器件高分辨率熱成像的瞬
《LED驅動與應用電路設計及案例分析》針對電子電路應用設計實務中的痛點和難點,通過案例舉一反三,使讀者能快速掌握分析和解決問題的方法和思路。全書的編排設計始終遵循以讀者為中心、成果導向和持續改進的理念,以培養應用型的工程技術人員為目標,貫穿于整個電子產品設計的全過程。全書采用案例式教學,通過問題引導的方式幫助讀者積累知識和經驗,啟發創新性思維。此外,本書還對標工程認證要求,注重對過程和結果的評價,根據達成目標設計了學習效果評價的內容和標準,可供讀者對學習成果進行自查。本書基于O
本書對半導體存儲器技術進行了全面綜合的介紹，覆蓋了從底層的器件及單元結構到頂層的陣列設計，且重點介紹了近些年的工藝節點縮小趨勢和最前沿的技術。本書第1部分討論了主流的半導體存儲器技術，第2部分討論了多種新型的存儲器技術，這些技術都有潛力能夠改變現有的存儲層級，同時也介紹了存儲器技術在機器學習或深度學習中的新型應用。
在半導體芯片被廣泛關注的當下，本書旨在為廣大讀者提供一本通俗易懂和全面了解半導體芯片原理、設計、制造工藝的學習參考書。《極簡圖解半導體技術基本原理（原書第3版）》以圖解的形式，簡單明了地介紹了什么是半導體以及半導體的物理特性，什么是IC、ISI以及其類型、工作原理和應用領域。在此基礎上詳細介紹了ISI的開發與設計、ISI制造的前端工程、ISI制造的后端工程以使讀者全面了解集成電路芯片的設計技術、制造工藝和測試、封裝技術。最后，介紹了代表性半導體元件以及半導體工藝的發展極限。
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