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用于集成電路仿真和設計的FinFET建模——基于BSIM-CMG標準

用于集成電路仿真和設計的FinFET建模——基于BSIM-CMG標準

定     價：¥99

中 教 價：¥59.40  (6.00折）

庫 存 數： 0

叢 書 名：微電子與集成電路先進技術叢書

  • 作者：[印度] 尤蓋希·辛格·楚罕（Yogesh Singh Chauhan）[中國]
  • 出版時間：2020/9/1
  • ISBN：9787111659815
  • 出 版 社：機械工業出版社
適用讀者:集成電路設計工程師、器件工程師、研究人員以及微電子專業師生
  • 中圖法分類：TN402 
  • 頁碼：252
  • 紙張：
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  • 開本：16開
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隨著集成電路工藝特征尺寸進入28nm以下節點，傳統的平面MOSFET結構已不再適用，新型的三維晶體管（FinFET）結構逐漸成為摩爾定律得以延續的重要保證。本書從三維結構的原理、物理效應入手，詳細討論了FinFET緊湊模型（BSIM-CMG）產生的背景、原理、參數以及實現方法；同時討論了在模擬和射頻集成電路設計中所采用的仿真模型。本書避開了繁雜的公式推導，而進行了更為直接的機理分析，力求使得讀者從工藝、器件層面理解BSIM-CMG的特點和使用方法。
本書可以作為微電子學與固體電子學、電子信息工程等專業高年級本科生、研究生的專業教材和教師參考用書，也可以作為工程師進行集成電路仿真的FinFET模型手冊。
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