本書面向世界科技前沿和國家重大需求，針對高效率Ⅲ族氮化物LED芯片設計和制造的關鍵問題，基于作者在III族氮化物LED外延生長和芯片制造領域十余年的研究基礎和產業化經驗，融入國內外同行在這一領域的研究成果，從藍光/綠光/紫外LED外延結構設計與材料生長、水平結構/倒裝結構/垂直結構/高壓LED芯片設計與制造工藝、LED失效機理與可靠性這三個方面系統闡述Ⅲ族氮化物LED芯片設計和制造技術。《BR》 本書共六章，第一章對Ⅲ族氮化物LED的發展歷程、工作原理和物性參數進行了全面的介紹；第二章詳細闡述了藍光/綠光/紫外LED外延生長工藝；第三章介紹高效率水平結構LED芯片制造工藝；第四章介紹倒裝結構LED芯片制造技術，對高反射率、低阻歐姆接觸p型電極和通孔接觸n型電極進行了詳細的闡述；第五章介紹高壓LED芯片、垂直結構LED芯片和Mini/Micro-LED芯片制造工藝；第六章介紹LED芯片失效機理和LED光學、電學、色度學參數在線測試方法。
ftp://124.17.26.93/curved-toc/9787030724694-curvedToc.pdf
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