《CMOS射頻集成電路設計（第二版）》被譽為射頻集成電路設計的指南書全面深入地介紹了設計千兆赫茲（GHz）CMOS射頻集成電路的細節。本書首先簡要介紹了無線電發展史和無線系統原理；在回顧集成電路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并聯和其他振蕩網絡及分布式系統特點的基礎上，介紹了史密斯圓圖、S參數和帶寬估計技術；著重說明了現代高頻寬帶放大器的設計方法，詳細討論了關鍵的射頻電路模塊，包括低噪聲放大器（LNA）、基準電壓源、混頻器、射頻功率放大器、振蕩器和頻率綜合器。對于射頻集成電路中存在的各類噪聲及噪聲特性（包括振蕩電路中的相位噪聲）進行了深入的探討。本書最后考察了收發器的總體結構并展望了射頻電路未來發展的前景。書中包括許多非常實用的電路圖和其他插圖，并附有許多具有啟發性的習題。
第1章 無線電發展歷史的間斷回顧
1.1 引言
1.2 麥克斯韋和赫茲
1.3 真空管發明前的電子學
1.4 真空管的誕生
1.5 armstrong和再生放大器／檢波器／振蕩器
1.6 其他無線電電路
1.7 armstrong和超再生電蹈
1.8 oleg losev及第一個固態電路放大器
1.9 結束語
1.10 附錄a：真空管基礎
1.11 附錄b：究竟是誰發明了無線電
第2章 無線通信原理概述
2.1 無線系統的片段簡史
2.2 非蜂窩無線通信的應用
2.3 香農定理、調制及其他
2.4 傳播
2.5 結論
2.6 附錄：其他無線系統的特性
第3章 無源rlc網絡
.3.1 引言
3.2 并聯rlc諧振回路
3.3 串聯rlc網絡
3.4 其他rlc諧振網絡
3.5 作為阻抗變換器的rlc網絡
3.6 實例
第4章 無源集成電路元件的特性
4.1 引言
4.2 射頻情況下的互連線：趨膚效應
4.3 電阻
4.4 電容
4.5 電感
4.6 變壓器
4.7 高頻時的互連選擇
4.8 小結
4.9 附錄：電容方程總結
第5章 mos器件物理回顧
5.1 引言
5.2 簡短歷史
5.3 場效應管：一個小故事
5.4 mosfet物理：長溝道近似
5.5 弱反型區(亞閾值區)的工作情況
5.6 短溝情況下的mos器件物理
5.7 其他效應
5.8 小結
5.9 附錄a：0.5μmlevel-3的spice模型
5.10 附錄b：level-3spice模型
5.11 附錄c：level-1mos模型
5.12 附錄d：一些非常粗略的尺寸縮小規律
第6章 分布參數系統
6.1 引言
6.2 集總和分布參數范疇之間的聯系
6.3 重復結構的策動點阻抗
6.4 關于傳輸線的更詳細討論
6.5 有限長度傳輸線的特性
6.6 傳輸線公式小結
6.7 人工傳輸線
6.8 小結
第7章 史密斯圓圖和s參數
7.1 引言
7.2 史密斯圓圖
7.3 s參數
7.4 附錄a：關于單位的一些說明
7.5 附錄b：為什么采用50ω(或75ω)
第8章 頻帶寬度估算方法
8.1 引言
8.2 開路時間常數方法
8.3 短路時間常數方法
8.4 補充讀物
8.5 上升時間、延時及帶寬
8.6 小結
第9章 高頻放大器設計
9.1 引言
9.2 利用零點增大帶寬
9.3 并聯-串聯放大器
9.4 采用ft倍頻器增大帶寬
9.5 調諧放大器
9.6 中和與單向化
9.7 級聯放大器
9.8 調幅-調相(am-pm)的轉換
9.9 小結
第10章 基準電壓和偏置電路
10.1 引言
10.2 二極管特性回顧
10.3 cmos工藝中的二極管和雙極型晶體管
10.4 獨立于電源電壓的偏置電路
10.5 帶隙基準電壓
10.6 恒gm偏置
10.7 小結
第11章 噪聲
11.1 引言..
11.2 熱噪聲
11.3 散粒噪聲
11.4 閃爍噪聲
11.5 爆米噪聲
11.6 經典的二端口網絡噪聲理論
11.7 噪聲計算舉例
11.8 一個方便的匡算規則
11.9 典型的噪聲性能
11.10 附錄：各種噪聲模型
第12章 低噪聲放大器設計
12.1 引言
12.2 mosfet二端口網絡噪聲參數的推導
12.3 lna的拓撲結構：功率匹配與噪聲匹配
12.4 功耗約束噪聲優化
12.5 設計舉例
12.6 線性度與大信號性能
12.7 無亂真信號的動態范圍
12.8 小結
第13章 混頻器
13.1 引言
13.2 混頻器基礎
13.3 作為線性混頻器的非線性系統
13.4 基于乘法器的混頻器
13.5 采樣混頻器
13.6 附錄：二極管環路混頻器
第14章 反饋系統
14.1 引言
14.2 現代反饋理論的簡短歷史
14.3 一個令人費解的問題
14.4 負反饋系統靈敏度的降低
14.5 反饋系統的穩定性
14.6 衡量穩定性的增益與相位裕量
14.7 根軌跡技術
14.8 穩定性準則小結
14.9 反饋系統建模
14.10 反饋系統的誤差
14.11 一階和二階系統的頻域和時域特性
14.12 實用的匡算規則
14.13 根軌跡舉例和補償
14.14 根軌跡技術小結
14.15 補償
14.16 通過降低增益獲得補償
14.17 滯后補償
14.18 超前補償
14.19 慢滾降補償
14.20 補償問題小結
第15章 rf功率放大器
15.1 引言
15.2 一般考慮
15.3 a類、ab類、b類和c類功率放大器
15.4 d類放大器
15.5 e類放大器
15.6 f類放大器
15.7 功率放大器的調制
15.8 功率放大器特性小結
15.9 rf功率放大器的幾個設計范例
15.10 其他設計考慮
15.11 設計小結
第16章 鎖相環
16.1 引言
16.2 pll簡史
16.3 幾種線性化的pll模型
16.4 pll的一些噪聲特性
16.5 鑒相器
16.6 序列鑒相器
16.7 環路濾波器和電荷泵
16.8 pll設計實例
16.9 小結
第17章 振蕩器與頻率合成器
17.1 引言
17.2 純線性振蕩器存在的問題
17.3 描述函數
17.4 皆振器
17.5 調諧振蕩器舉例
17.6 負阻振蕩器
17.7 頻率合成
17.8 小結
第18章 相位噪聲
18.1 引言
18.2 一般性考慮
18.3 詳細討論：相位噪聲
18.4 線性性與時變在相位噪聲中的作用
18.5 電路實例
18.6 振幅響應
18.7 小結
18.8 附錄：有關模擬的說明
第19章 系統結構
19.1 引言
19.2 動態范圍
19.3 亞采樣
19.4 發射機系統結構
19.5 振蕩器的穩定性
19.6 芯片設計實例
19.7 小結
第20章 射頻電路歷史回顧
20.1 引言
20.2 armstrong
20.3 “全美”5管超外差收音機
20.4 regency tr-1晶體管收音機
20.5 三管玩具民用波段對講機
第5章 MOS器件物理回顧
5.1 引言
本章的注意力集中在直接與RF電路設計者有關的管子特性上，強調了一階和高階現象的差別，因此為了深入揭示一些問題而進行粗略近似的時候會舉出許多例子來說明，所以本章的回顧是試圖作為對這一內容的傳統敘述的補充，而不是去替代它。特別是我們必須承認，當今的深亞微米MOSFET是非常復雜的器件，因此簡單的公式事實上不可能提供任何其他比一階（甚至可能是零階）更精確的近似。本章的基本理念在于提供一種可以進行初步設計的簡單隋形，然后通過復雜得多的模型來驗證它。借助零階模型建立起來的定性觀察可以使設計者對從模擬器得到的不好結果做出正確的反應。因此，我們用一組比較簡單的模型而不是用于驗證的模型來進行設計。
基于這個目的，我們現在先回顧一段歷史，然后再進行一系列的推導。
5.2 簡短歷史
人們制作場效應管（FET）的想法實際上要比雙極器件的開發早20年。事實上，Julius Lilienfeld在1926年就獲得了第一個類似于場效應晶體管的專利，但他從來也沒有做成功過一個能夠工作的器件。①wlluam Shockley在與別人合作發明雙極型管之前也曾試圖通過調制半導體的電導率來構成場效應管。與Lilienfeld一樣，由于他使用的材料系統的問題（他采用了銅化合物②，因此沒有獲得成功。甚至在把目標轉向鍺（一種比氧化銅更簡單因而更易于理解的半導體）之后，Shockley也仍然不能做出一個能夠工作的場效應管。在試圖分析不成功的原因的過程中，Shockley的貝爾實驗室的同事John Bardeen及Walter Brattain偶然發現了點接觸雙極型晶體管，即第一個實際的半導體放大器。這個器件的一些沒有解決的秘密（例如其中的負β）促使Shockley發明了結型場效應晶體管，這三個人由于他們的工作最終贏得了諾貝爾物理獎。
到1950年，一個基于改變半導體等效截面積的晶體管[即結型場效應管（JFET）]演示成功，它是一個很有用的器件，但卻不是Shockley最初打算構造的器件。
10年后，貝爾實驗室的Kahng和Atalla最終研制成功了一個硅MOSFET，他們利用一個偶然的發現，即硅自己的氧化物能夠極好地控制難以解決的表面狀態問題，而這些問題曾經使早期采用其他材料時所做的種種努力屢屢受挫。但是直到發現鈉離子的污染是主要的罪魁禍首并且在相應的補救辦法出現之前，器件特性的神秘（而且嚴重）漂移一直阻止了MOS工藝的商業化。
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