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點(diǎn)擊返回 當(dāng)前位置:首頁(yè) > 中圖法 【TN 無(wú)線電電子學(xué)、電信技術(shù)】 分類(lèi)索引
  • 集成電路器件抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)
    • 集成電路器件抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)
    • 閆愛(ài)斌,倪天明,黃正峰,崔杰/2023-3-1/科學(xué)出版社
    • 本書(shū)從集成電路器件可靠性問(wèn)題出發(fā),具體闡述了輻射環(huán)境、輻射效應(yīng)、軟錯(cuò)誤和仿真工具等背景知識(shí),詳細(xì)介紹了抗輻射加固設(shè)計(jì)(RHBD)技術(shù)以及在該技術(shù)中常用的相關(guān)組件,重點(diǎn)針對(duì)表決器、鎖存器、主從觸發(fā)器和靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(SRAM)單元介紹了經(jīng)典的和新穎的RHBD技術(shù),扼要描述了相關(guān)實(shí)驗(yàn)并給出了容錯(cuò)性能和開(kāi)銷(xiāo)對(duì)比分析。本書(shū)共分為6章,分別為緒論、常用的抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)及組件、表決器的抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)、鎖存器的抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)、主從觸發(fā)器的抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)以及SRAM單元的抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)。

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      ¥79.98¥129折扣:6.20折  當(dāng)前庫(kù)存:3
  • 數(shù)據(jù)鏈理論與技術(shù)
    • 數(shù)據(jù)鏈理論與技術(shù)
    • 謝偉,黃健/2023-3-1/科學(xué)出版社
    • 本書(shū)圍繞數(shù)據(jù)鏈基本理論和關(guān)鍵技術(shù),首先介紹數(shù)據(jù)鏈的基本概念、組成功能和技術(shù)體系架構(gòu);然后圍繞數(shù)據(jù)鏈信息傳輸技術(shù)、組網(wǎng)技術(shù)、信息融合技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)管理技術(shù)深度剖析數(shù)據(jù)鏈采用的技術(shù)點(diǎn)位和在數(shù)據(jù)鏈中的應(yīng)用,并以Link-16和Link-11波形協(xié)議為例,系統(tǒng)性地闡述了這兩種數(shù)據(jù)鏈的信息流程、工作方式、組網(wǎng)運(yùn)用等內(nèi)容;最后以軍事應(yīng)用需求為牽引,分析了數(shù)據(jù)鏈能力發(fā)展方向和技術(shù)發(fā)展需求。

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      ¥36.58¥59折扣:6.20折  當(dāng)前庫(kù)存:1
  • 半導(dǎo)體器件導(dǎo)論(英文版)
    • 半導(dǎo)體器件導(dǎo)論(英文版)
    • (美)Donald A. Neamen(唐納德 ? A. 尼曼)/2023-3-1/電子工業(yè)出版社
    • 本書(shū)適合作為集成電路、微電子、電子科學(xué)與技術(shù)等專(zhuān)業(yè)高年級(jí)本科生和研究生學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件物理的雙語(yǔ)教學(xué)教材,內(nèi)容涵蓋了量子力學(xué)、固體物理、半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件的全部?jī)?nèi)容。全書(shū)在介紹學(xué)習(xí)器件物理所必需的基礎(chǔ)理論之后,重點(diǎn)討論了pn結(jié)、金屬–半導(dǎo)體接觸、MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極型晶體管的工作原理和基本特性。最后論述了結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、晶閘管、MEMS和半導(dǎo)體光電器件的相關(guān)內(nèi)容。本書(shū)提供了豐富的習(xí)題和自測(cè)題,并給出了大量的分析或設(shè)計(jì)實(shí)例,有助于讀者對(duì)基本理論和概念的理解。

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      ¥70.95¥129折扣:5.50折  當(dāng)前庫(kù)存:1
  • 制冷紅外焦平面探測(cè)器技術(shù)
    • 制冷紅外焦平面探測(cè)器技術(shù)
    • 黃立/2023-3-1/電子工業(yè)出版社
    • 本書(shū)內(nèi)容主要基于紅外焦平面陣列探測(cè)器領(lǐng)域取得的成果,并系統(tǒng)介紹了紅外焦平面陣列探測(cè)器的設(shè)計(jì)理論及制造過(guò)程。本書(shū)分別介紹了非制冷型和制冷型兩大類(lèi)紅外焦平面陣列探測(cè)器,主要具體內(nèi)容為:碲鎘汞和超晶格等熱敏材料制備;金屬、陶瓷、晶圓和像素級(jí)四類(lèi)封裝工藝;線性、旋轉(zhuǎn)式等多種斯科特式制冷技術(shù)與器件;涉及各類(lèi)核心器件性能的高精度檢測(cè)技術(shù);紅外焦平面陣列探測(cè)器全生命生產(chǎn)周期管理;各類(lèi)紅外焦平面陣列探測(cè)器應(yīng)用技術(shù)。

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      ¥48.95¥89折扣:5.50折  當(dāng)前庫(kù)存:10
  • 壓接型IGBT器件封裝可靠性建模與測(cè)評(píng)
    • 壓接型IGBT器件封裝可靠性建模與測(cè)評(píng)
    • 李輝等/2023-3-1/科學(xué)出版社
    • 全書(shū)較為系統(tǒng)地論述了壓接型IGBT器件封裝疲勞失效機(jī)理及其可靠性建模與測(cè)評(píng)等,既有理論原理、仿真分析、又有實(shí)驗(yàn)測(cè)試等。全書(shū)內(nèi)容可為高壓大功率壓接器件的可靠性設(shè)計(jì)優(yōu)化和測(cè)試奠定理論基礎(chǔ);同時(shí)也為實(shí)現(xiàn)柔直裝備安全運(yùn)行的狀態(tài)評(píng)估和主動(dòng)運(yùn)維提供技術(shù)支撐,從而進(jìn)一步支撐以高壓大功率IGBT器件為核心的柔直裝備及電力系統(tǒng)安全。

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      ¥71.40¥119折扣:6.00折  當(dāng)前庫(kù)存:5
  • 微電子工藝與裝備技術(shù)
    • 微電子工藝與裝備技術(shù)
    • 夏洋,解婧,陳寶欽/2023-3-1/科學(xué)出版社
    • 本書(shū)重點(diǎn)介紹微電子制造工藝技術(shù)的基本原理、途徑、集成方法與設(shè)備。主要內(nèi)容包括集成電路制造工藝、相關(guān)設(shè)備、新原理技術(shù)及工藝集成。本書(shū)力求讓學(xué)生在了解集成電路制作基本原理與方法的基礎(chǔ)上,緊密地聯(lián)系生產(chǎn)實(shí)際,方便地理解這些原本復(fù)雜的工藝和流程,從而系統(tǒng)掌握半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)。本書(shū)內(nèi)容由淺入深,理論聯(lián)系實(shí)際,突出應(yīng)用和基本技能的訓(xùn)練,教學(xué)儀器及實(shí)驗(yàn)室耗材等全部操作均采用案例教學(xué)的方式。

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      ¥54.56¥88折扣:6.20折  當(dāng)前庫(kù)存:13
  • 三維芯片集成與封裝技術(shù)
    • 三維芯片集成與封裝技術(shù)
    • [美]劉漢誠(chéng)(John H.Lau)/2023-3-1/機(jī)械工業(yè)出版社
    • 本書(shū)系統(tǒng)地討論了用于電子、光電子和MEMS器件的2.5D、3D,以及3D IC集成和封裝技術(shù)的最新進(jìn)展和未來(lái)可能的演變趨勢(shì),同時(shí)詳盡地討論了IC的3D集成和封裝關(guān)鍵技術(shù)中存在的主要工藝問(wèn)題和可能的解決方案。通過(guò)介紹半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中IC按照摩爾定律的發(fā)展以及演變的歷史,闡述3D集成和封裝的優(yōu)勢(shì)和挑戰(zhàn),結(jié)合當(dāng)前3D集成關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展重點(diǎn)討論TSV制程與模型、晶圓減薄與薄晶圓在封裝組裝過(guò)程中的拿持晶圓鍵合技術(shù)、3D堆疊的微凸點(diǎn)制造與組裝技術(shù)、3D Si集成、2.5D/3D IC集成和采用無(wú)源轉(zhuǎn)接板的3D

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      ¥111.51¥189折扣:5.90折  當(dāng)前庫(kù)存:1
  • 雷達(dá)目標(biāo)散射機(jī)理與分析方法
    • 雷達(dá)目標(biāo)散射機(jī)理與分析方法
    • 郭琨毅,吳比翼,盛新慶/2023-3-1/科學(xué)出版社
    • 本書(shū)對(duì)目標(biāo)的散射機(jī)理、目標(biāo)特性與電磁理論的聯(lián)系,以及目標(biāo)特性領(lǐng)域中關(guān)于散射中心模型的熱點(diǎn)研究問(wèn)題進(jìn)行了詳細(xì)闡述。本書(shū)共5章。第1章從解析解和典型規(guī)則目標(biāo)的近似解出發(fā),提煉出散射的主要成分,丟掉次要部分,給出簡(jiǎn)潔、明了的散射機(jī)理性闡述;第2章依據(jù)第1章的理論,分析了散射機(jī)理的類(lèi)型,建立了不同結(jié)構(gòu)體散射場(chǎng)隨頻率、方位、極化的依賴(lài)關(guān)系,最后給出一般目標(biāo)散射機(jī)理的分析方法;第3章闡述了雷達(dá)目標(biāo)的散射特性,包括頻率特性、方位特性、極化特性,以及擴(kuò)展目標(biāo)的角閃爍現(xiàn)象及計(jì)算方法;第4章引出了散射中心的概念,給

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      ¥55.18¥89折扣:6.20折  當(dāng)前庫(kù)存:13
  • 海雜波背景下雷達(dá)目標(biāo)自適應(yīng)檢測(cè)理論與方法
    • 海雜波背景下雷達(dá)目標(biāo)自適應(yīng)檢測(cè)理論與方法
    • 許述文/2023-3-1/西安電子科技大學(xué)出版社
    • 本書(shū)探討海雜波背景下雷達(dá)目標(biāo)自適應(yīng)檢測(cè)的理論與方法,書(shū)中重點(diǎn)關(guān)注了非高斯雜波背景下的自適應(yīng)類(lèi)檢測(cè)方法,梳理并分析了該領(lǐng)域經(jīng)典方法的設(shè)計(jì)流程及檢測(cè)性能。全書(shū)由11章組成,主要內(nèi)容為復(fù)合高斯模型海雜波背景下的自適應(yīng)檢測(cè)器設(shè)計(jì),包括海雜波數(shù)學(xué)模型建立及參數(shù)估計(jì)、不同雜波概率分布下檢測(cè)性能最優(yōu)與近最優(yōu)的自適應(yīng)檢測(cè)器設(shè)計(jì)以及不同目標(biāo)模型下的自適應(yīng)檢測(cè)器設(shè)計(jì)等。
      本書(shū)可供研究海雜波統(tǒng)計(jì)特性、雷達(dá)目標(biāo)檢測(cè)算法設(shè)計(jì)、統(tǒng)計(jì)信號(hào)處理等方向的科技人員閱讀和參考,也可作為以上研究方向的研究生的專(zhuān)業(yè)課教材

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      ¥33.00¥55折扣:6.00折  當(dāng)前庫(kù)存:2
  • 5G網(wǎng)絡(luò)安全規(guī)劃與實(shí)踐
    • 5G網(wǎng)絡(luò)安全規(guī)劃與實(shí)踐
    • 章建聰 陳斌 景建新 邱云翔 董平 湯雨婷/2023-3-1/人民郵電出版社
    • 本書(shū)詳細(xì)介紹了5G 網(wǎng)絡(luò)安全規(guī)劃的具體內(nèi)容和實(shí)踐方案,闡述了5G 網(wǎng)絡(luò)安全規(guī)劃方法論,以架構(gòu)為驅(qū)動(dòng),以能力為導(dǎo)向,著眼現(xiàn)在,布局未來(lái),并基于新一代NIST CSF IPDRR模型,對(duì)5G安全能力框架進(jìn)行了詳細(xì)的規(guī)劃,旨在形成實(shí)戰(zhàn)化、體系化、常態(tài)化的5G安全能力開(kāi)放體系。5G網(wǎng)絡(luò)安全實(shí)踐主要聚焦踐行規(guī)劃目標(biāo)及實(shí)施路徑,貫穿5G網(wǎng)絡(luò)安全風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估、設(shè)計(jì)、建設(shè)、測(cè)評(píng)、運(yùn)營(yíng)等不同階段,覆蓋“云、網(wǎng)、端、邊、數(shù)、業(yè)”一體化的5G 網(wǎng)絡(luò)安全解決方案,旨在系統(tǒng)地推進(jìn)5G安全體系建設(shè)落地見(jiàn)效。 本書(shū)適合從事5G網(wǎng)

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      ¥76.64¥129.9折扣:5.90折  當(dāng)前庫(kù)存:2